晶合集成申请电容器结构相关专利,该发明电容器结构及方法可提升容量与性能
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2025-12-30 20:16:38
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12月30日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“电容器结构以及电容器结构的制造方法”的专利。申请公布号为CN121240471A,申请号为CN202511794295.9,申请公布日期为2025年12月30日,申请日期为2025年12月2日,发明人井口学、牟田哲也,专利代理机构上海汉之律师事务所,专利代理师徐燕华,分类号H10D1/68。

专利摘要显示,本发明公开了一种电容器结构以及电容器结构的制造方法,属于半导体技术领域,所述电容器结构至少包括:下电极,包括分割的多个下电极元件,且相邻的所述下电极元件之间形成有间隙;第一绝缘层,覆盖所述下电极元件的侧面,并在相邻的所述下电极元件之间形成凹部;MIM堆栈层,设置在所述下电极元件和所述第一绝缘层上,且所述MIM堆栈层覆盖所述下电极元件的上表面和所述第一绝缘层;第二绝缘层,设置在所述MIM堆栈层上;上电极,设置在所述第二绝缘层上;以及导通管,贯穿所述第二绝缘层,且所述导通管连接所述MIM堆栈层和所述上电极。通过本发明提供的一种电容器结构及电容器结构的制造方法,可提高电容器结构的容量和性能。

晶合集成成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内知名的12英寸晶圆代工企业,具备深厚技术积累与产能优势。

晶合集成所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,涉及半导体、集成电路、芯片概念等板块。公司主要从事12英寸晶圆代工业务,致力于研发并应用行业先进工艺,为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。

在2025年三季度经营业绩方面,晶合集成营业收入达81.3亿元,行业排名3/7,与第一名中芯国际的495.1亿元、第二名华虹公司的125.83亿元有差距,略高于行业中位数80.69亿元,低于行业平均数121.23亿元;净利润为3.95亿元,行业排名4/7,与第一名中芯国际的57.7亿元、第二名赛微电子的15.14亿元差距明显,恰好处于行业中位数水平,低于行业平均数8.25亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1电容器结构以及电容器结构的制造方法发明专利公布CN202511794295.92025-12-02CN121240471A2025-12-30井口学、牟田哲也
2背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511797762.32025-12-02CN121240571A2025-12-30陈维邦
3背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511797693.62025-12-02CN121240570A2025-12-30陈维邦
4图形化方法及光刻胶结构发明专利公布CN202511784424.62025-12-01CN121237637A2025-12-30赵志豪、李海峰、沈俊明
5用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202511746998.42025-11-26CN121218668A2025-12-26方延、张新、郭廷晃
6半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202511727063.12025-11-24CN121192052A2025-12-23王文智
7半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202511727064.62025-11-24CN121192053A2025-12-23王文智
8一种浅沟槽隔离结构及其制备方法发明专利公布CN202511727118.92025-11-24CN121192054A2025-12-23王文智
9用于对晶圆进行失焦补偿的方法、半导体器件及相关产品发明专利公布CN202511715014.62025-11-21CN121187086A2025-12-23赵志豪、李海峰、沈俊明、古哲安
10半导体结构及其制备方法、高压MOS器件发明专利公布CN202511714324.62025-11-21CN121194489A2025-12-23马翼蕤、蒯照、王少奇
11背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511706458.32025-11-20CN121152344A2025-12-16陈维邦
12用于半导体结构的测试方法及测试装置发明专利公布CN202511712552.X2025-11-20CN121142286A2025-12-16田志锋
13嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备发明专利公布CN202511704709.42025-11-20CN121171973A2025-12-19梁栋栋、张安、张盖、陈有德、张得亮
14一种光刻胶涂布方法发明专利公布CN202511705451.X2025-11-20CN121165399A2025-12-19张仁伟、张祥平
15一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202511699262.62025-11-19CN121152289A2025-12-16杨少华、杨昱霖、沈娅、蔡马龙
16接触孔的清洗方法及清洗装置发明专利公布CN202511695222.42025-11-19CN121171880A2025-12-19许雨芩、杨昱霖
17接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法发明专利公布CN202511695815.02025-11-19CN121171982A2025-12-19朱海龙、罗承先
18半导体结构的制备方法发明专利公布CN202511689963.12025-11-18CN121152288A2025-12-16张璐、朱鹏飞、高倩倩、邱爽、游奕廷
19背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202511689280.62025-11-18CN121152343A2025-12-16陈维邦
20SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法发明专利公布CN202511676037.02025-11-17CN121126770A2025-12-12王文智、刘飞飞
21SRAM存储单元、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布CN202511676034.72025-11-17CN121126769A2025-12-12王文智、刘飞飞
22一种校正光罩布局的方法发明专利公布CN202511676880.92025-11-17CN121142889A2025-12-16赵志豪、李海峰、沈俊明、古哲安
23半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202511676224.92025-11-17CN121148992A2025-12-16赵志豪、李海峰、沈俊明
24半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202511666098.92025-11-14CN121126858A2025-12-12刘苏涛
25晶圆曝光系统及其补偿方法发明专利公布CN202511666454.72025-11-14CN121115428A2025-12-12李海峰、张祥平、赵志豪
26半导体结构及半导体结构的制造方法发明专利公布CN202511666676.92025-11-14CN121123118A2025-12-12刘然、郑威、徐华超
27芯片失效类型的测试方法及测试电路发明专利公布CN202511673091.X2025-11-14CN121114737A2025-12-12郝永豪、储浩、张翼、孔祥炜、钟敏
28光刻胶的去除方法和去除装置以及光刻工艺的返工方法发明专利公布CN202511666449.62025-11-14CN121142926A2025-12-16赵志豪、李海峰、沈俊明、古哲安
29半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511649809.12025-11-12CN121099689A2025-12-09朱海龙
30半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511649237.72025-11-12CN121099688A2025-12-09运广涛、阮钢、苏圣哲、罗钦贤
31半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511652165.12025-11-12CN121099701A2025-12-09刘凯、王维安
32半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法发明专利公布CN202511648328.92025-11-12CN121123011A2025-12-12刘苏涛、肖迪
33曝光辅助图形的确定方法、装置和计算机设备发明专利公布CN202511649076.12025-11-12CN121115427A2025-12-12刘秀梅、罗招龙
34构建三维损伤程度模型的方法、损伤程度评价方法及系统发明专利公布CN202511639568.22025-11-11CN121123052A2025-12-12王冉、林东亿、林祐丞、杨智强、遇鑫遥
35背照式图像传感器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511635667.32025-11-10CN121099744A2025-12-09方晓宇、杨昱霖、郭育清、李万宝、郭宜婷
36背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202511635099.72025-11-10CN121099733A2025-12-09金文祥、陈义元、吴凯、郇小伟
37半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511632267.72025-11-10CN121099680A2025-12-09廖学海、明玉坤、邹鹏
38晶圆键合方法及晶圆键合结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511633045.72025-11-10CN121096855A2025-12-09张燚
39半导体结构、半导体结构的制造方法及显示器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511634358.42025-11-10CN121099847A2025-12-09谢荣源、马丽、陈信全、林滔天、葛成海
40掩膜图案的处理方法、掩膜图案的处理系统和掩膜发明专利实质审查的生效、公布CN202511632778.92025-11-10CN121091594A2025-12-09殷诗淇、罗招龙、王康
41半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202511632272.82025-11-10CN121126856A2025-12-12李文超、林子荏、张旭、袁晓梅
42半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202511632353.82025-11-10CN121126843A2025-12-12潘海燕、明玉坤、廖学海、遇鑫遥
43半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511625543.72025-11-07CN121099693A2025-12-09朱会超、刘文彬、蔡富吉
44半导体器件及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511621739.92025-11-07CN121099687A2025-12-09叶家顺、曹飞
45图像传感器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511628584.12025-11-07CN121099732A2025-12-09叶家顺、崔立加、王冉、余义祥
46芯片电池及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511612900.62025-11-06CN121057285A2025-12-02周成
47改善翘曲晶圆CDU的方法、曝光方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511613303.52025-11-06CN121091615A2025-12-09马文斌、张祥平
48磊晶缺陷的分析方法及分析系统、可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511597831.62025-11-04CN121053139A2025-12-02张利强、林今焕、李建政
49多晶圆堆叠结构的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511599123.62025-11-04CN121054478A2025-12-02周宇芬、郝小强、郑悦
50一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511596104.82025-11-04CN121057325A2025-12-02饶续、宋明明、曹玉娟、马忠祥

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