拓荆科技近日就向特定对象发行股票申请文件的审核问询函进行了回复，对本次46亿元募资的投向合理性、产能消化、研发风险等核心问题作出详细说明。公司强调，本次募投项目紧密围绕半导体薄膜沉积设备主业展开，新增产能与下游客户扩产计划相匹配，不存在重大不确定性。

募资投向聚焦主业 新增产能服务先进制程需求

根据回复，本次非公开发行股票拟募集资金总额不超过46亿元，投向三个项目：高端半导体设备产业化基地建设项目（15亿元）、前沿技术研发中心建设项目（20亿元）及补充流动资金（11亿元）。其中，高端半导体设备产业化基地建设项目是对前次同名项目的追加投资，将新增600台（套）/年产能，使公司总产能提升至1100台（套）/年。

公司表示，本次追加投资具有明确合理性。2024年3月首次规划该项目时设计产能400台/年，但随着全球AI算力需求激增及国内存储芯片厂商扩产加速，原有产能规划已无法满足市场需求。据披露，长江存储三期扩产目标产能30万片/月，长鑫存储2025年产能计划增长近50%，下游客户扩产计划直接催生对高端薄膜沉积设备的增量需求。本次追加投资后，项目总投资额由11亿元增至17.68亿元，建筑面积增加27.46%，智能化工厂投入显著提升。

前次募资使用进度合理 新增产能有明确消化路径

针对“前次募集资金尚未使用完毕即实施本次募投”的疑问，公司解释称，前次投入的2.68亿元募集资金预计2026年上半年使用完毕，主要用于1号厂房裙房等主体结构建设，而本次募资将重点投向后续工程及智能化设备。截至2025年9月30日，公司在手订单达107.14亿元，现有500台/年产能利用率已达94.03%，2024年产量同比增长52.7%。

根据SEMI预测及公司测算，2026-2030年中国大陆薄膜沉积设备年需求量将从4762台增长至6329台，而公司新增产能达产后（2028年起）仅占市场需求的12.64%-14.55%。公司凭借在国内PECVD、ALD等设备市场的领先地位（已供货超过70条芯片产线），具备消化新增产能的客户基础。

研发项目具备技术储备 资本化处理符合会计准则

前沿技术研发中心建设项目拟投入20亿元，重点研发先进ALD、PECVD及沟槽填充CVD设备，其中6.23亿元研发支出将进行资本化处理，占比53.58%。公司强调，该资本化比例与中微公司等同行可比公司类似项目水平接近，符合行业特性。

截至2025年9月末，公司研发人员达678人，占员工总数40.72%，其中博士59人、硕士416人，形成了以9大核心技术为基础的技术架构体系。在ALD设备领域，公司已实现PE-ALD与Thermal-ALD技术全覆盖；PECVD设备已在逻辑、存储领域实现规模量产，客户端设备平均稳定运行时间超过90%，为研发项目实施奠定坚实基础。

财务状况支撑募资需求 非资本性支出符合监管要求

公司同时披露，本次募资中非资本性支出合计17.91亿元，占比38.94%，超出30%的部分（4.11亿元）全部用于主营业务相关研发投入，符合《证券期货法律适用意见第18号》要求。截至2025年9月末，公司资产负债率67.72%，借款余额35.68亿元，经营活动现金流净额28.32亿元，资金缺口测算显示未来三年总资金需求约74.54亿元，本次融资有助于优化资本结构。

中介机构核查意见认为，拓荆科技本次募投项目定价公允，产能规划与市场需求匹配，研发资本化处理合规，不存在重大不确定性风险。

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