8月29日消息，国家知识产权局信息显示，山东有研半导体材料有限公司、有研半导体硅材料股份公司申请一项名为“直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法”的专利，授权公告号CN116240621B，授权公告日为2026年8月28日。申请公布号为CN116240621A，申请号为CN202211727056.8，申请公布日期为2026年8月28日，申请日期为2022年12月27日，发明人张健华、张欢、连庆伟、宁永铎、方峰、徐继平、钟耕杭、朱晓彤、李钧宏、颜俊尧，专利代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司，专利代理师刘秀青，分类号C30B15/00、C30B15/20、C30B29/06、C30B33/02、C23C16/40、C23C16/453。

专利摘要显示，本发明公开了一种直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法，该方法的工艺流程为：直拉法制备硅单晶→单晶棒滚磨→多线切割→边缘倒角→双面研磨→化学腐蚀→热处理→化学机械抛光；其中，在所述直拉法制备硅单晶的工序中，单晶生长过程中使用水平超导磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，同时，采用特定的晶体转速和坩埚转速相配合，晶体转速为1‑12rpm，坩埚转速为0.1‑2rpm；在所述热处理工序为POLY+LTO薄膜生长；或者为高温退火。该方法适用于制备直径在8英寸及以上、电阻率在3000Ω·cm以上、氧含量在5ppma以下的P型硅衬底。所制备的单晶氧含量低于5ppma，退火后电阻率能够达到3000Ω·cm以上，并且氧含量均匀性小于10％，电阻率均匀性小于5％。

天眼查数据显示，山东有研半导体材料有限公司成立日期2018年8月23日，法定代表人张果虎，所属行业为非金属矿物制品业，企业规模为中型，注册资本200328.1126万人民币，实缴资本200328.1126万人民币，注册地址为山东省德州市天衢新区袁桥镇尚德八路3998号。山东有研半导体材料有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目384次，财产线索方面有商标信息0条，专利信息96条，拥有行政许可27个。

山东有研半导体材料有限公司近期专利情况如下：

有研硅是国内领先的半导体硅材料核心供应商，拥有全产业链布局优势，专注于关键半导体材料研发生产。公司成立于2001年6月21日，2022年11月10日在上海证券交易所上市，注册地与办公地均位于北京市。

公司主营业务为半导体材料的研发、生产与销售，申万行业分类隶属于电子-半导体-半导体材料赛道，同时覆盖年度强势、存储概念、半导体材料三大概念板块。

2026年上半年，有研硅实现营业收入6.65亿元，在28家同行业可比公司中排名第13位，低于行业平均11.68亿元，略高于行业中位数6.26亿元，同期行业营收前两位分别为有研新材61.58亿元、雅克科技45.13亿元；营收结构中半导体硅抛光片贡献3.51亿元占比52.83%，刻蚀设备用硅材料贡献2.6亿元占比39.12%，其余业务合计占比不足10%。当期公司实现净利润1.54亿元，行业排名第5/28位，大幅高于行业平均5833.35万元与行业中位数5637.14万元，同期行业净利润前两位分别为雅克科技6.37亿元、江丰电子4.72亿元。

有研半导体硅材料股份公司近期专利情况如下：

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文由AI大模型基于公开信息生成，不代表Hehson财经观点。文中所有信息、数据及图表仅供参考，不构成任何形式的投资建议或决策依据，相关信息以实际公告为准。如有疑问，请联系：biz@staff.sina.com.cn。