晶合集成申请SRAM噪声边缘分析相关专利,实现SRAM噪声边缘的可靠分析
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2026-08-26 09:25:34
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8月26日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质”的专利。申请公布号为CN122637856A,申请号为CN202611115006.2,申请公布日期为2026年8月25日,申请日期为2026年7月27日,发明人田志锋,专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司,专利代理师张鹏,分类号G11C29/50。

专利摘要显示,本发明公开了一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质,涉及集成电路技术领域。本发明创造性发现,在Bit分布图上,读写测试全部通过的点往往围绕着一条线段周边分布,因此,可以将整个SRAM对应的噪声边缘定义在一条直线上。本发明先获取待测SRAM中的每个Bit的读写测试结果、读噪声容限和写噪声容限,然后获得Bit分布图,采用直线拟合的方式对Bit分布图上的所有点进行拟合,得到拟合线,该拟合线对应着整个SRAM对应的噪声边缘的直线;最后根据每个Bit的读写测试结果,从拟合线上得到待测SRAM的噪声边缘线段,从而能够可靠地分析出待测SRAM对应的噪声边缘。

晶合集成是国内领先的专注于晶圆代工的集成电路制造企业,依托特色工艺技术优势深耕显示驱动等芯片代工领域。公司成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地为安徽省合肥市,办公地跨安徽省合肥市与香港特别行政区。

晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工业务,致力于研发并应用行业先进工艺,为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务,所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造,覆盖MCU概念、汽车芯片、集成电路等概念板块。

2026年上半年,晶合集成实现营业收入59.57亿元,在所属3家同行业可比企业中排名第2,仅次于华润微的61.28亿元,高于行业平均水平55.49亿元,与行业中位数持平;当期实现净利润2.22亿元,同样在3家可比企业中位列第2,低于行业龙头华润微的6.67亿元,略低于行业平均数3.1亿元,与行业中位数持平。公司营收结构高度集中,集成电路相关业务贡献营收57.66亿元,占总营收比重达96.80%,其余业务收入为1.91亿元,占比3.20%。

指标类别 具体指标 数值情况 行业对比
营收表现 2026年上半年营业收入 59.57亿元 3家可比企业中排名第2,高于行业均值55.49亿元,与行业中位数持平
营收结构 集成电路业务营收及占比 57.66亿元,占比96.80% -
营收结构 其他补充业务营收及占比 1.91亿元,占比3.20% -
利润表现 2026年上半年净利润 2.22亿元 3家可比企业中排名第2,低于行业均值3.1亿元,与行业中位数持平

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1基于图形轮廓顶点匹配的GDS版图对比方法及系统发明专利公布CN202611132347.02026-07-29CN122637020A2026-08-25刘苑、查乐、田姿璘
2半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202611116631.92026-07-27CN122641036A2026-08-25张君良、江澳、田贝贝、谢智宇、王韦顺
3一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质发明专利公布CN202611115006.22026-07-27CN122637856A2026-08-25田志锋
4基于场景的根因预测模型训练方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202611100269.62026-07-23CN122616744A2026-08-21崔恒丽、张利强、俞洁、林今焕
5半导体器件的形成方法和半导体器件发明专利公布CN202611088837.52026-07-22CN122622329A2026-08-21王淑娜、宋富冉、刘乃硕
6半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202611091082.42026-07-22CN122622285A2026-08-21胡一凡
7半导体器件结构及其制备方法发明专利公布CN202611090819.02026-07-22CN122622310A2026-08-21刘洋、李琦琦、祝君龙
8埋入式栅极结构及制备方法发明专利公布CN202611065450.82026-07-17CN122602562A2026-08-18江珂、林祐丞、杨智强
9离子注入工艺光阻层厚度的安全性验证方法及选择方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611022452.92026-07-10CN122535230A2026-08-07夏陈红、程挚
10对准系统校正方法、基准点标记板及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016741.82026-07-09CN122535209A2026-08-07毛文龙、李海峰、黄玉、吴建宏
11光学邻近效应修正方法及装置、半导体器件制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016093.62026-07-09CN122525844A2026-08-07赵广、罗招龙
12半导体物料的动态存储方法、装置、设备、介质发明专利公布CN202611016172.72026-07-09CN122596837A2026-08-18卫春生、汪杰、李翔、曹齐清、严倩倩、李佳蓓、张乐、蔡栋煌
13半导体工厂的高处作业行为识别方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611009342.92026-07-08CN122510972A2026-08-04毛周亮、夏慧、徐旻芮、黄俊旗、李天定
14半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611000593.02026-07-07CN122514031A2026-08-04刘苏涛
15一种含有间隔交叉空气间隙的半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001373.X2026-07-07CN122514244A2026-08-04崔立加、余义祥、王梦晴、李敏新
16图像传感器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001464.32026-07-07CN122514061A2026-08-04康绍磊、汪凯伦
17对准标记的异常检测方法及提高光刻工艺套准精度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611002015.02026-07-07CN122506782A2026-08-04陈大业、李海峰、黄玉
18一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610999508.X2026-07-07CN122514030A2026-08-04武莹莹
19面向设计-制造的多智能体协同方法、系统及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610992342.92026-07-06CN122509026A2026-08-04陈健、秦绪威、刘哲儒
20晶圆测试路径的规划方法、装置、探针台、设备及介质发明专利公布CN202610986471.72026-07-03CN122497321A2026-07-31王朋、杨锃、李飞
21一种背照式图像传感器晶圆键合方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202610976510.52026-07-02CN122476835A2026-07-28沈娅、许超、杨少华
22测量混合键合强度的方法、监测机台稳定性的方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610970010.02026-07-01CN122476885A2026-07-28伍德超、陶磊、梁健
23一种背照式图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610968214.02026-07-01CN122476695A2026-07-28张庆庆、谢荣源、宋明明、温海龙
24半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610967959.52026-07-01CN122476654A2026-07-28周同、王维安、程洋
25一种金属硅化物的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610966312.02026-07-01CN122476658A2026-07-28刘苏涛
26一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610966313.52026-07-01CN122476669A2026-07-28李燕、宋富冉、王淑娜、刘乃硕
27半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959576.32026-06-30CN122476903A2026-07-28魏榕、沐凡、韩壮壮、季小龙、张正
28半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959724.12026-06-30CN122476904A2026-07-28马亚强、张正、季小龙、韩壮壮、魏榕
29一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610953205.42026-06-30CN122476657A2026-07-28江道、林豫立、刘哲儒
30一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610941777.02026-06-29CN122476834A2026-07-28伍德超、郝小强
31测试结构、测试方法及测试系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610925895.22026-06-25CN122487862A2026-07-31王朋、杨锃、李飞
32曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞
33晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲
34光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康
35半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明
36一种半导体结构的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰
37一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳
38半导体器件及其制备方法、芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃
39一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛
40一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成
41一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙
42半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕
43半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰
44文本识别方法、系统及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞
45一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利实质审查的生效、公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿
46一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康
47晶圆的量测方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610813374.82026-06-08CN122349353A2026-07-07蒋智
48一种半导体结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮
49半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥
50用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610796173.12026-06-04CN122396285A2026-07-14陈弋轩

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