韩国芯片巨头SK海力士将于本周五登陆科技股云集的纳斯达克交易所，此举将为其打通一条强力全新融资渠道，方便全球投资者布局高速增长的人工智能基础设施赛道。

　　这家全球第二大存储芯片厂商计划通过在纳斯达克发行美国存托凭证（ADR）募资约40万亿韩元（折合265亿美元）。本次发行共计1.779亿份美国存托凭证，发行价定为每份149美元，1份ADR对应其在韩国首尔交易所上市普通股的十分之一。

　　此次上市有望跻身美股史上规模最大的境外企业IPO行列，募资规模仅次于SpaceX，足以体现全球资本对AI产业链核心企业的旺盛投资意愿。

　　业内分析人士表示，除了获得巨额资金注入，登陆纳斯达克还将抬升SK海力士全球估值、拓宽国际资本市场融资路径，夯实企业长期募资能力。

　　一位不愿具名的业内人士表示：“SK海力士发行ADR意义重大，此前无法直接参与韩国股市的美国及全球投资者，如今可以投资这家全球顶级高带宽内存（HBM）供应商。”

　　SK海力士早早布局高带宽内存产品，在AI算力芯片需求爆发后，成为英伟达核心供货商，稳固了行业龙头地位。

　　这套发展策略帮助公司创下史上最佳业绩，时隔25年，市值首度超越宿敌三星电子，登顶韩国市值最高上市企业。

　　今年早些时候，SK集团会长崔泰源表示，本次ADR上市将把股东群体从韩国本土拓展至美国及全球海外投资者，推动SK海力士进一步全球化。

　　本周五纳斯达克上市敲钟仪式上，崔泰源及公司一众高管将面向全球投资者介绍企业技术优势与长期发展规划。

　　此次赴美上市还有望缩小SK海力士与美国竞品美光科技之间的估值差距。

　　尽管SK海力士在HBM市场占据领先地位，全球动态随机存储器（DRAM）市占率与营业利润均优于美光，但该公司市盈率较这家美国竞争对手低20%至40%。

　　韩华投资证券分析师朴俊永分析称：韩国股市交易时段、汇率汇兑、投资流程等壁垒，长期制约美国机构资金布局韩股；ADR上市能够破除上述阻碍，抬升SK海力士全球估值。

　　“今年海外同行市盈率普遍超过预期净利润的10倍，而SK海力士估值折价明显。本次ADR发行有望推动估值修复，抹平价差。”

　　本次ADR发行定价较其首尔普通股周四收盘价溢价约2.9%。即便近期韩股股价波动，企业仍对全球资本认购本次新股抱有充足信心。

　　募资所得将用于加大产能投入，加码AI存储芯片与先进晶圆制造产能建设，提升企业财务抗风险与资金调度空间。

　　SK海力士此前披露，募集资金将配合韩国政府产业规划，在韩国本土新建一座半导体晶圆工厂与高端芯片封测基地。

　　公司还计划投入11.9万亿韩元采购极紫外光刻（EUV）设备，全部设备预计于明年年底前完成装机投产。