绍兴中芯集成取得容隔离器相关专利，在氮化硅层设应力槽，提高容隔离器可靠性
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2025-12-30 22:17:12
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12月30日消息，国家知识产权局信息显示，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用”的专利，授权公告号CN116322295B，授权公告日为2025年12月30日。申请公布号为CN116322295A，申请号为CN202310329566.8，申请公布日期为2025年12月30日，申请日期为2023年3月29日，发明人张文博、刘琪、李雄伟，专利代理机构苏州锦尚知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师李洋、李丹，分类号H10N97/00。

专利摘要显示，本申请实施例涉及一种容隔离器的制备方法、容隔离器及其应用；其中，容隔离器的制备方法包括：在衬底上形成依次层叠设置的第一电极板、氧化硅电介质层和氮化硅电介质层；在氮化硅电介质层中形成应力释放槽；在氮化硅电介质层上形成第二电极板；本申请各实施例通过在氮化硅电介质层中形成应力释放槽，从而有利于在后续的测试中或者使用中释放电应力，避免氧化硅电介质层和氮化硅电介质层的界面处发生局部特性变化，进而避免容隔离器出现裂纹，提高了容隔离器的工作可靠性。

天眼查数据显示，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司成立日期1970年1月18日，法定代表人赵奇，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本704664.1万人民币，实缴资本，注册地址为浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号。绍兴中芯集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1729次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息779条，拥有行政许可43个。

绍兴中芯集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆发明专利公布CN202511613526.12025-11-06CN121232519A2025-12-30张弓玉帛、金港杰、周旺、陈浩冬
2一种功率半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511474976.72025-10-15CN121174537A2025-12-19胡俊杰、任文珍
3一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511328616.62025-09-17CN121174546A2025-12-19周圣杰、阚志国、李远哲
4一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511318587.52025-09-16CN120824255A2025-10-21黎震宇、张俊龙、吴梦圆、王琛、刘国安
5一种半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511318736.82025-09-16CN120824256B2025-12-23黎震宇、吴梦圆、张俊龙、王琛、刘国安
6监控退火腔室环境稳定性的方法、监控晶圆及其制备方法发明专利公布CN202511290074.82025-09-10CN121149133A2025-12-16金熠、尹维明
7应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202511255701.42025-09-04CN120749074A2025-10-03马玉莎、王新龙
8一种LDMOS器件及其制造方法发明专利公布CN202511246179.32025-09-02CN121038331A2025-11-28李忠仁、何福秀
9一种半导体器件的制造方法发明专利公布CN202511244828.62025-09-02CN121038309A2025-11-28周圣杰、阚志国、李远哲
10静电放电保护电路和电子器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511212820.12025-08-28CN120728533A2025-09-30张旭、胡俊杰、任文珍、丛茂杰
11静电放电保护电路和电子器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511212821.62025-08-28CN120728534A2025-09-30张旭、胡俊杰、任文珍、丛茂杰
12缺陷标记装置及标记方法发明专利公布CN202511191458.42025-08-25CN120784180A2025-10-14张良敏、曹润泽
13LDMOS器件及其制备方法发明专利公布CN202511173678.42025-08-21CN121038329A2025-11-28梁程程、张偲、刘国安
14监控SiON膜层中的氮含量的方法、装置、存储介质及计算机程序产品发明专利公布CN202511147502.12025-08-15CN120998817A2025-11-21李乾伟、秦永星、陈强
15MEMS惯性器件的制备方法及MEMS惯性器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202511127594.72025-08-13CN120622404A2025-09-12张兆林
16TEM样品的制作方法发明专利公布CN202511118501.42025-08-11CN120971122A2025-11-18姜美娇、李剑
17SON结构的制备方法及MEMS器件发明专利公布CN202511107060.82025-08-08CN120943209A2025-11-14刘艳丽、王大甲、罗传鹏
18一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511111596.72025-08-08CN120957490A2025-11-14饶泽露、范明远、王琛
19开关电路发明专利公布CN202511096967.92025-08-06CN120979403A2025-11-18胡俊杰、任文珍
20半导体结构及半导体测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511090725.92025-08-05CN120933275A2025-11-11陈慧秀、朱晓彤
21半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511042303.42025-07-28CN120887369A2025-11-04颜福成
22MEMS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510989822.52025-07-17CN120841441A2025-10-28张兆林
23半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510989821.02025-07-17CN120841440A2025-10-28蔡双、王红海、王新龙、徐达武
24压力传感器的制备方法及压力传感器发明专利公布CN202510967819.32025-07-14CN120831197A2025-10-24王曦
25IGBT晶圆结构、用于检测IGBT晶圆结构的方法、芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202510891299.22025-06-30CN120727595A2025-09-30眭小超
26屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法和屏蔽栅沟槽型晶体管发明专利实质审查的生效、公布CN202510888037.02025-06-30CN120730761A2025-09-30王丹丹、徐承福、何云、徐旭东、丛茂杰
27基于轻量化卷积神经网络的文本图像超分辨率方法和系统发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510823738.62025-06-19CN120339077B2025-09-30丁勇、余庆、刘毅飞
28MEMS器件及其制造方法发明专利公布CN202510817294.52025-06-18CN120664491A2025-09-19张兆林
29顶层互连结构及其形成方法、芯片发明专利公布CN202510809497.X2025-06-17CN120674405A2025-09-19张涛、梁昕
30晶圆键合方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510791764.52025-06-13CN120637243A2025-09-12张兆林
31半导体器件及基于其的接合偏移量测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510780614.42025-06-12CN120300102A2025-07-11王红海
32一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510776247.02025-06-11CN120435024A2025-08-05李宝杰、任文珍、丛茂杰、徐旭东
33导电接触孔的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510767875.22025-06-10CN120749077A2025-10-03徐嘉栋、高霞霞
34半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510752958.42025-06-06CN120553637A2025-08-29吕林静、王新龙
35双向静电放电保护电路发明专利实质审查的生效、公布CN202510745661.52025-06-05CN120603327A2025-09-05胡俊杰
36半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510747455.82025-06-05CN120710478A2025-09-26邵志龙、王大甲、罗传鹏
37MEMS器件的制备方法及MEMS器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510735452.22025-06-04CN120246920B2025-08-29鲁列微
38MEMS器件的制备方法及MEMS器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510735452.22025-06-04CN120246920B2025-08-29鲁列微
39一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510702330.32025-05-28CN120568792A2025-08-29周圣杰、阚志国、李远哲
40肖特基二极管及集成电路元件的制备方法、光刻掩膜版发明专利实质审查的生效、公布CN202510690444.02025-05-27CN120547886A2025-08-26杨芳、李婧、许继辉、王伟
41一种统计过程控制方法和装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510693587.72025-05-27CN120565453A2025-08-29梁东升、项林、王峥、刘萌萌、李书文、吴江华
42一种半导体器件及其制造方法、电子装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510684004.42025-05-26CN120547908A2025-08-26戴逸、赵晓燕、陆凌杰、黄艳、钟鹏
43一种集成电路器件及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510683298.92025-05-26CN120547882A2025-08-26王伟、张文博、杨芳、李婧、许继辉
44只读存储器及制备方法、只读存储器单元电阻的调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510683300.22025-05-26CN120603242A2025-09-05吴桥伟
45MEMS器件及其制备方法、电子装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510619419.32025-05-14CN120483030A2025-08-15王红海
46一种MEMS压力传感器及其制造方法、电子装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510598410.92025-05-09CN120467551A2025-08-12王宇、寇冬雨、王俊力
47LDMOS器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510565677.82025-04-30CN120152349A2025-06-13李宏伟
48功率半导体器件及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510544717.02025-04-28CN120076376B2025-07-11李忠仁、何福秀
49吸附装置、半导体设备及吸附调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510545792.92025-04-28CN120376499A2025-07-25袁小博
50混合衬底及其制备方法、半导体装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510471617.X2025-04-15CN120322018A2025-07-15饶泽露、王琛、张俊龙

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