中欣晶圆取得硅片缺口加工相关专利,手动加工硅片边缘缺口,便捷稳定成效多
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2025-12-30 21:23:08
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12月30日消息,国家知识产权局信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“对硅片边缘手动加工缺口的操作方法”的专利,授权公告号CN117047566B,授权公告日为2025年12月30日。申请公布号为CN117047566A,申请号为CN202311018528.7,申请公布日期为2025年12月30日,申请日期为2023年8月14日,发明人李昌华、楼刚刚、高威、贾俊、陈广,专利代理机构杭州融方专利代理事务所(普通合伙),专利代理师沈相权,分类号B24B1/00、B24B9/06、B24B49/12、B24B27/06、B24B41/06、B24B55/02、B24B49/00。

专利摘要显示,本发明涉及一种对硅片边缘手动加工缺口的操作方法,所属半导体加工技术领域,包括如下操作步骤:先在激光厚度测量设备上对硅片进行厚度检测。根据硅片的厚度选择开槽砂轮组件。接着将无缺口的硅片放在卡槽检测区的测试片卡槽。然后选择缺口粗研单元移动,研削台上吸着无缺口的硅片。再选择倒角机手动操作模式,拟研削台四方位移动动态。把研削仓门关闭,砂轮冷却水打开,开启倒角机主轴旋转对无缺口硅片进行开槽倒角。接着把机台接受硅片方式修改凹槽形状模式,对硅片进行粗倒角和精倒角。具有操作便捷、省时省力和运行稳定性好的特点。解决硅片在同样的工艺加工条件下,实现不同的方位晶向的硅片,达到多方面的技术成效。

天眼查数据显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期1970年1月18日,法定代表人贺贤汉,所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业,企业规模为大型,注册资本503225.6776万人民币,实缴资本503225.6776万人民币,注册地址为浙江省东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目42次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息390条,拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1基于红外线阵扫描的倒角机崩边实时检测装置及方法发明专利公布CN202511567859.52025-10-30CN121104823A2025-12-12杜书红
2基于CMP工序用的研磨液添加系统及方法发明专利公布CN202511549473.12025-10-28CN121223690A2025-12-30杨石平
3硅片研磨设备的定盘清洁与维护方法发明专利公布CN202511344562.22025-09-19CN121156902A2025-12-19王小明
4CMP抛光布更换定位导向器及气泡排除辅助夹具发明专利公布CN202511296333.82025-09-11CN121179349A2025-12-23陈彬
5硅片倒角机清洗槽加工后硅片背面残留水珠清理方法发明专利公布CN202511224626.52025-08-29CN121171927A2025-12-19唐鸿钦、杨自立、罗敏杰
6在LPCVD制备工艺中的高稳定性石英硅舟平台结构及方法发明专利公布CN202511224618.02025-08-29CN121161264A2025-12-19刘文涛、李赛武
7无尘室用适应多规格上料的升降式防震动工具车及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511215435.22025-08-28CN121083591A2025-12-09田飞、杨自立
8改善硅片经过SP1后产生背面手臂印记的工装及方法发明专利公布CN202511143738.82025-08-15CN121171964A2025-12-19郑斌
9半导体硅片检测人员智能培训与动态知识管理方法发明专利公布CN202511102792.82025-08-07CN121190261A2025-12-23董盼盼、罗敏杰
10半导体硅片返抛品全流程智能管理方法及系统发明专利公布CN202511102795.12025-08-07CN121189357A2025-12-23李叶梅、罗敏杰
11针对磨片机的分体式清洁系统及工艺发明专利公布CN202511050050.52025-07-29CN120755109A2025-10-10苏鹏辉
12用于晶圆加工的BSD实验装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511050080.62025-07-29CN121004547A2025-11-25魏朋朋
13硅片装载泡沫箱开箱工具及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511017736.42025-07-23CN120793342A2025-10-17杨自立、罗敏杰
14一种用于硅片酸腐蚀的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510980373.82025-07-16CN121054480A2025-12-02缪燃
15一种针对硅片抛光机的销环柱自动清理系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510973791.42025-07-15CN120734883A2025-10-03王方立
16一种晶圆片的检测系统及方法发明专利公布CN202510973721.92025-07-15CN120992647A2025-11-21李鹏、包亚平
17一种快速校准马波斯气压计的校正工具发明专利实质审查的生效、公布CN202510975826.82025-07-15CN121048825A2025-12-02石建群
18一种提升12寸LTO背封膜厚均一性的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510968442.32025-07-14CN121046812A2025-12-02陈珈璐、高洪涛、何荣
19一种提高双面研削机清洗部清洗效果以及效率的结构和方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510961337.72025-07-14CN121054525A2025-12-02崔银昊
20一种用于改善抛光片平坦度和划伤的方法发明专利公布CN202510961110.22025-07-12CN120772953A2025-10-14张文军
21研磨桶颗粒聚集的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510950873.72025-07-10CN120791624A2025-10-17孙贵昌
22晶圆抛光机回收箱的改造挂件及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510950876.02025-07-10CN120862570A2025-10-31张亚生、孙月超
23一种可视化的自动化仓库点位调整治具及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510930369.02025-07-07CN120622092A2025-09-12钱鹏飞
24降低硅片边缘粗糙度的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510860222.92025-06-25CN120619986A2025-09-12张森阳
25单晶硅快速热处理工艺的氧化诱生层错抑制方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202510836649.52025-06-21CN120844203A2025-10-28王云峰、蔡来强、焦芬芬
26一种降低晶圆体金属的加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510823152.X2025-06-19CN120645044A2025-09-16孙若力
27防止重掺气孔产品流出的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510828853.22025-06-19CN120801345A2025-10-17康海洋、吴瑶、张晨阳
28一种改善硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510813030.22025-06-18CN120591749A2025-09-05焦芬芬
29一种提升12寸晶圆19nm颗粒水平的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510813029.X2025-06-18CN120600627A2025-09-05陈坚
30高平坦度低缺陷密度退火片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510783876.62025-06-12CN120878544A2025-10-31张沛
31对12寸硅片边缘抛光的研磨鼓布快速替换装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510719344.62025-05-30CN120439181A2025-08-08陈彬
32一种针对lpcvd尾气无害化处理装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510719341.22025-05-30CN120679339A2025-09-23平铁卫
33硅材料高平坦度CMP的加工方式发明专利实质审查的生效、公布CN202510673038.32025-05-23CN120715794A2025-09-30徐威楠
34一种晶圆制备中晶圆陶瓷夹持手臂组件结构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510538146.X2025-04-27CN120565487A2025-08-29方涛
35针对滑移线与孪晶的鉴别分析设备及区分方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510538145.52025-04-27CN120609852A2025-09-09何珍碧
36提高抛光硅片体铁检测精度的SPV前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510479389.02025-04-16CN120413412A2025-08-01王鸣
37分析氧化炉污染的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510476561.72025-04-16CN120413453A2025-08-01王烨华、康海洋
38硅片抛光机结晶的清理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510425703.72025-04-07CN120116148A2025-06-10高威
39改善快速热处理滑移线的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510425702.22025-04-07CN120341116A2025-07-18李媛
40一种晶圆表面颗粒的清洗结构及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510393154.X2025-03-31CN120376456A2025-07-25王伟东
41提高高电阻晶圆平坦度测试准确性的装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510393157.32025-03-31CN120417190A2025-08-01张倩
42一种减少硅片平坦度测试被颗粒干扰的装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510393149.92025-03-31CN120576712A2025-09-02毛攀、郑斌、王江华
43用于硅片研磨的抛光垫结构及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510290369.92025-03-12CN120326521A2025-07-18徐姜炜
44硅片加工中发生碎裂的触发报警装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510249271.92025-03-04CN119910570A2025-05-02何航党
45双面研磨后硅片表面的清洁方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510177675.12025-02-18CN120079612A2025-06-03贾俊、于洋、吴闯
46晶圆缺口磨损改善改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510136832.42025-02-07CN119927789A2025-05-06李开勋
47降低混酸消耗的酸腐蚀机辅助装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510136831.X2025-02-07CN120015659A2025-05-16唐鸿钦、缪燃
48降低抛光表面划伤的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510085770.92025-01-20CN120033076A2025-05-23张森阳
49改善硅片表面粗糙度的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510089337.22025-01-20CN120048724A2025-05-27蔡来强
50改善CVD中硅片品质的低温退火工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202510035486.02025-01-09CN119776797A2025-04-08刘文涛

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