长沙半导体技术与应用创新研究院集成电路布图设计获国家知识产权局公告
近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，长沙半导体技术与应用创新研究院提交的“一种基于SOI工艺的模拟域存算一体芯片”布图设计正式获得国家知识产权局的专有权公告，标志着该款面向存算一体领域的核心芯片设计成果获得官方层面的知识产权确权，为后续相关技术的落地应用与产业转化筑牢了知识产权保护屏障。此次公告是国内半导体领域针对特色工艺存算一体方向的又一项知识产权落地成果，也体现了长沙半导体技术与应用创新研究院在模拟域芯片设计赛道的技术积累得到官方认可，将为其后续开展相关芯片的迭代研发、产业合作提供坚实的权益支撑。
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 发布时间 | 2026年9月2日 |
| 布图设计登记号 | BS.25558668X |
| 布图设计申请日 | 2025年10月29日 |
| 公告日期 | 2026年9月2日 |
| 公告号 | 98924 |
| 布图设计名称 | 一种基于 SOI工艺的模拟域存算一体芯片 |
| 布图设计权利人 | 长沙半导体技术与应用创新研究院 |
| 布图设计创作人 | 陈卓俊 |
| 布图设计创作完成日 | 2024年12月20日 |
从本次公开的公告细节来看，该布图设计的创作完成日为2024年12月20日，由核心研发人员陈卓俊主导完成相关设计工作，长沙半导体技术与应用创新研究院作为布图设计权利人，于2025年10月29日正式向国家知识产权局提交登记申请，经过近11个月的审核流程后，于2026年9月2日正式完成公告，对应公告号为98924，最终获得的布图设计登记号为BS.25558668X。该布图设计聚焦SOI工艺下的模拟域存算一体芯片方向，针对传统存算分离架构下的数据搬运能耗高、延迟大的痛点进行设计优化，本次获得专有权公告也将为国内存算一体芯片的技术创新路径提供新的知识产权支撑。
综合点评
本次该款SOI工艺模拟域存算一体芯片布图设计获国家知识产权局专有权确权，是研究院在特色工艺存算一体赛道技术积累获得官方认可的直接体现。既为成果落地转化筑牢知识产权保护屏障，也为后续芯片迭代研发、产业合作提供坚实权益支撑，进一步夯实其在模拟域芯片设计领域的竞争优势。
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