微导纳米申请膜厚检测方法相关专利,该方法降本提效,提升薄膜沉积产品良品率
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2026-08-29 10:19:22
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8月29日消息,国家知识产权局信息显示,江苏微导纳米科技股份有限公司申请一项名为“反应腔内累计膜厚的检测方法、检测系统和薄膜沉积设备”的专利。申请公布号为CN122650884A,申请号为CN202610966989.4,申请公布日期为2026年8月28日,申请日期为2026年6月30日,发明人高力、张子涵、徐峰,专利代理机构北京博遵律师事务所,专利代理师张春雨,分类号G01B21/08、C23C16/52。

专利摘要显示,本申请公开了一种反应腔内累计膜厚的监测方法、检测系统和薄膜沉积设备。其中,反应腔内累计膜厚的检测方法包括在薄膜沉积工艺过程中,按照设定循环次数或沉积时间,采集腔盖温度和对应的薄膜厚度的数据;建立腔盖温度与薄膜厚度之间的关联模型;实时采集腔盖温度,通过关联模型预测对应的薄膜厚度及对应的置信区间;预设薄膜厚度的多级控制阈值,并根据薄膜厚度及其置信区间执行分级管控。本申请提供的反应腔内累计膜厚的检测方法能够在降低工艺成本的同时兼顾薄膜沉积效果,提高产品的良品率。

微导纳米是国内原子层沉积(ALD)设备领域领军企业,专注先进薄膜沉积装备研发,具备全产业链技术壁垒。公司成立于2015年12月25日,2022年12月23日登陆上海证券交易所,注册及办公地点均位于江苏省无锡市。

公司核心业务以ALD技术为核心,聚焦先进微、纳米级薄膜沉积技术和设备的研究与产业化应用,为光伏、集成电路、柔性电子等半导体与泛半导体行业提供高端装备与技术解决方案,所属申万行业为电力设备-光伏设备-光伏加工设备,覆盖年度强势、先进封装、存储概念等概念板块。

2026年上半年,微导纳米实现营业收入11.89亿元,在12家同行业可比公司中排名第8,低于行业平均18.39亿元、行业中位数18.85亿元,同期行业营收前两位分别为晶盛机电34.52亿元、迈为股份29.09亿元;当期实现净利润1.02亿元,行业排名第7,低于行业平均1.15亿元、行业中位数1.43亿元,同期行业净利润前两位分别为捷佳伟创3.75亿元、拉普拉斯3.18亿元。从主营业务构成来看,半导体设备贡献营收6.29亿元,占比53.11%;光伏设备贡献营收3.82亿元,占比32.27%;配套产品及服务贡献营收1.45亿元,占比12.27%;其他业务贡献营收2778.76万元,占比2.35%。

业务板块 营收金额 营收占比
半导体设备 6.29亿元 53.11%
光伏设备 3.82亿元 32.27%
配套产品及服务 1.45亿元 12.27%
其他 2778.76万元 2.35%

江苏微导纳米科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1工艺腔室、薄膜沉积设备和零部件接触状态监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611000457.12026-07-06CN122522222A2026-08-07周瑞、王新征、周芸福
2反应腔内累计膜厚的检测方法、检测系统和薄膜沉积设备发明专利公布CN202610966989.42026-06-30CN122650884A2026-08-28高力、张子涵、徐峰
3一种等离子体沉积设备及其控制方法发明专利公布CN202610936778.62026-06-25CN122484721A2026-07-31陆亦诚
4气体引导装置及半导体设备发明专利公布CN202610890054.22026-06-18CN122648907A2026-08-28郑子文、吴围、李荣生、陆亦诚、赵光辉
5反应腔室、薄膜沉积设备及组装方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610766283.32026-05-29CN122514200A2026-08-04柴智、李新、史笑
6衬套及沉积系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610652436.12026-05-12CN122358169A2026-07-10王宗林、周芸福、赵婷婷、陈刚、王国超
7工艺腔室及沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610652469.62026-05-12CN122358158A2026-07-10程堂杰、吴晗
8一种成膜设备、成膜设备的进气装置及成膜设备的喷淋板发明专利实质审查的生效、公布CN202610492020.82026-04-15CN122013155A2026-05-12杨世蒙、宋广华、尤宇文
9喷淋板、处理设备和喷淋板孔型调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610491865.52026-04-14CN122382537A2026-07-14侯彬、荒见淳一、沈寒旸
10一种升降针的检测方法及相关装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610458284.12026-04-08CN122358148A2026-07-10柴智、李新
11靶材结构和磁控溅射设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610443065.62026-04-03CN122214800A2026-06-16白展逢、籍伟杰、张鹤、汤亚东、黎微明
12混气机构、反应装置以及半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610442872.62026-04-03CN122235689A2026-06-19李新、柴智、赵婷婷、李振、张义明
13溅射设备和溅射方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610443120.12026-04-03CN122303811A2026-06-30张鹤、邓晚、白展逢、籍伟杰、汤亚东、黎微明
14混气机构、反应装置以及半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610442880.02026-04-03CN122327187A2026-07-03柴智、李新、赵婷婷、李振、张义明
15靶材结构及其磁控溅射方法和磁控溅射设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610442296.52026-04-03CN122358132A2026-07-10白展逢、籍伟杰、张鹤、任壮
16阻隔膜及其制备方法和光电器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610443085.32026-04-03CN122520960A2026-08-07符奎、申博文、黎微明、袁红霞、姚俊
17混气机构、反应装置以及半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610443134.32026-04-03CN122516870A2026-08-07柴智、李新、赵婷婷、李振、张义明
18混气装置、反应装置以及半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202610442930.52026-04-03CN122543011A2026-08-11柴智、李新、赵婷婷、李振、张义明
19功能层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法发明专利授权CN202610426169.62026-04-02CN121968868B2026-06-16隋玉洁、王娟、姚俊、闻佳、袁红霞、李翔
20用于钙钛矿太阳能电池的电子传输层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610435571.02026-04-02CN122458595A2026-07-24闻佳、黎微明、隋玉洁、袁红霞、李翔
21一种激光加工系统以及激光指向性偏移的补偿方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377175.72026-03-25CN122125355A2026-06-02朱涵
22一种片材缺陷检测系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377183.12026-03-25CN122341174A2026-07-03韩明新、陈哲、隋浩然、李登辉
23温度调节装置以及镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610321903.22026-03-16CN122235698A2026-06-19安超、荒见淳一
24温度调节装置以及镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610321907.02026-03-16CN122235699A2026-06-19安超、荒见淳一
25进气装置和反应设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610312792.92026-03-12CN122105370A2026-05-29柴智、赵学
26基片及其制备方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610300638.X2026-03-12CN122318743A2026-06-30赵光辉、马洪宝
27顶针结构、加热盘及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610312763.22026-03-12CN122318810A2026-06-30柴智
28晶圆异常的检测方法及半导体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610312664.42026-03-12CN122421154A2026-07-17林英浩
29一种基片上下料机构、基片上下料方法、装置和介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610255303.02026-03-03CN122121607A2026-05-29严大、汤宋波
30一种硅片取放机构及导片系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610214766.22026-02-13CN122028688A2026-05-12杨世蒙、李海生、宋广华
31用于半导体薄膜处理设备的配气组件和半导体薄膜处理设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610214730.42026-02-13CN122013152A2026-05-12衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超
32半导体薄膜处理设备和半导体薄膜沉积方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214783.62026-02-13CN122013153A2026-05-12智顺华、衡德正、徐康、阮昊、王国超
33半导体薄膜处理设备和半导体薄膜处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214804.42026-02-13CN122128689A2026-06-02智顺华、衡德正、王国超、徐康、阮昊
34用于半导体薄膜处理设备的配气组件、半导体薄膜处理设备及其处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214736.12026-02-13CN122147285A2026-06-05衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超
35一种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610163864.82026-02-04CN121985771A2026-05-05严大、汤宋波
36一种喷淋装置及沉积镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610131881.32026-01-29CN121915386A2026-04-24施述鹏、廖宝臣
37载具、镀膜设备及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610076563.12026-01-20CN121610764A2026-03-06李挺、余乐怡
38喷淋机构及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202512059928.82025-12-31CN121593033A2026-03-03李宏岩、张鹤、赵昂璧
39喷淋机构及其检测系统发明专利公布CN202512059363.32025-12-31CN121629365A2026-03-10贾松霖、张鹤、李宏岩、左敏
40半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511999077.92025-12-26CN121793662A2026-04-03李翔、王娟、江诗聪、袁红霞、姚俊、李鹏、杨蕾
41防污染角阀、角阀改造方法及沉积设备发明专利授权CN202511983364.02025-12-25CN121737683B2026-08-18毛文瑞、荒见淳一、赵婷婷
42一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511942447.52025-12-22CN121826658A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超
43加热盘机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511948067.22025-12-22CN121826668A2026-04-10许允昕、周芸福、王宗林
44一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935884.42025-12-19CN121781271A2026-04-03常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛、王国超
45一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935874.02025-12-19CN121781109A2026-04-03叶长松、常晓娜、张晶、刘松涛、王天宇、安超
46半导体加热盘的装配方法和半导体工艺腔室发明专利公布CN202511923577.42025-12-18CN121653612A2026-03-13周瑞、周芸福
47反应装置、半导体薄膜沉积方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511922972.02025-12-18CN121653610A2026-03-13安超、王天宇、王炫罡
48反应腔室及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923368.X2025-12-18CN121674937A2026-03-17周芸福、黎微明、周瑞、王国超、王晴
49支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923203.22025-12-18CN121843456A2026-04-10李森、常晓娜、叶长松、张晶、刘松涛
50一种顶针结构、升降机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923315.82025-12-18CN121843483A2026-04-10王新征、侯永刚

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