8月29日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种主关断模块”的专利,授权公告号CN117766502B,授权公告日为2026年8月28日。申请公布号为CN117766502A,申请号为CN202311821017.9,申请公布日期为2026年8月28日,申请日期为2023年12月27日,发明人陈睿韬、袁振东、邓九屹、尹志坚、王毅,专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师葛军,分类号H10W70/40、H10W72/50、H10W40/20、H10W40/25、H02H3/02、H02H3/08、H02H3/05。
专利摘要显示,本发明公开了一种主关断模块,属于半导体器件领域。包括塑封体,所述塑封体内设有框架,所述框架的两侧伸出塑封体两侧边缘;还包括TVS芯片、一对MOS芯片和稳压管芯片,所述框架包括间隔设置的VIN基岛和VOUT基岛以及间隔设置的S极引脚和G极引脚,所述VIN基岛的外侧设有若干VIN引脚,所述VOUT基岛的外侧设有若干VOUT引脚,所述VIN基岛和S极引脚位于同侧,所述S极引脚的外侧设有S极外接引脚;所述VOUT基岛和G极引脚位于同侧,所述G极引脚的外侧设有G极外接引脚。本发明在工作中,将MOS管、TVS管、稳压管集成在一个模块中,MOS管可利用保护器件的空间散热,优化了散热性能,模块实现了保护器件电路连接,避免了外部布线困难。
扬杰科技是国内功率半导体分立器件领域领先企业,专注功率半导体全产业链布局,技术壁垒深厚。公司成立于2006年8月2日,于2014年1月23日在深圳证券交易所上市,注册地与办公地均位于江苏省扬州市。
扬杰科技主营业务集研发、生产、销售于一体,专业布局功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域,申万行业分类隶属于电子-半导体-分立器件,同时覆盖第三代半导体、功率半导体、碳化硅等热门概念板块。
2026年上半年,扬杰科技实现营业收入45.15亿元,在17家同行业可比企业中排名第2,仅次于行业龙头士兰微的72.62亿元,大幅高于14.66亿元的行业平均营收与9.25亿元的行业营收中位数。从主营业务构成来看,半导体器件贡献营收40.25亿元,占总营收比重达89.15%,半导体芯片、半导体硅片分别实现营收2.79亿元、1.1亿元,占比分别为6.17%、2.44%,其余业务营收1.01亿元,占比2.24%。盈利端表现更为突出,当期公司实现净利润7.57亿元,位列17家同行业企业第1,高于第二名源杰科技的6.07亿元,远超1.03亿元的行业净利润平均数与6531.17万元的行业净利润中位数,盈利领跑细分赛道。
| 指标类别 | 具体指标 | 扬杰科技当期数值 | 行业排名 | 可比头部企业数值 | 行业平均水平 | 行业中位数水平 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 营收维度 | 2026年上半年营业收入 | 45.15亿元 | 2/17 | 士兰微72.62亿元 | 14.66亿元 | 9.25亿元 |
| 盈利维度 | 2026年上半年净利润 | 7.57亿元 | 1/17 | 源杰科技6.07亿元 | 1.03亿元 | 6531.17万元 |
| 营收结构 | 半导体器件营收占比 | 89.15% | - | - | - | - |
| 营收结构 | 半导体芯片营收占比 | 6.17% | - | - | - | - |
| 营收结构 | 半导体硅片营收占比 | 2.44% | - | - | - | - |
| 营收结构 | 其他业务营收占比 | 2.24% | - | - | - | - |
扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种提升二极管反向恢复特性的SiC MOSFET器件及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610949609.6 | 2026-06-29 | CN122602542A | 2026-08-18 | 王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅 |
| 2 | 一种垂直互连双面DBC铜柱整流桥封装结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610769096.0 | 2026-05-31 | CN122458814A | 2026-07-24 | 李佳欣、姚文康、王双、陈润生、王毅 |
| 3 | 一种提高短路耐受能力的碳化硅MOS器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610748277.5 | 2026-05-28 | CN122421408A | 2026-07-17 | 王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅 |
| 4 | 一种具有ESD保护结构的高压碳化硅MOS器件及制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610748281.1 | 2026-05-28 | CN122458456A | 2026-07-24 | 王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅 |
| 5 | 一种低寄生电感功率二极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610593818.1 | 2026-04-30 | CN122340830A | 2026-07-03 | 熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅 |
| 6 | 一种低应力高导热光伏旁路导电组件、二极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610585288.6 | 2026-04-29 | CN122396337A | 2026-07-14 | 柏广绪、司天平、景昌忠、陈润生、王毅 |
| 7 | 一种高功率密度三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610535598.7 | 2026-04-22 | CN122395972A | 2026-07-14 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 8 | 一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610412210.4 | 2026-03-31 | CN122138725A | 2026-06-02 | 熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅 |
| 9 | 一种高功率密度TVS二极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610415630.8 | 2026-03-31 | CN122269779A | 2026-06-23 | 熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅 |
| 10 | 一种Power DFN框架、封装体及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610286131.3 | 2026-03-10 | CN121985840A | 2026-05-05 | 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅 |
| 11 | 封装体(Power DFN) | 外观专利 | 授权 | CN202630104849.7 | 2026-03-10 | CN310125756S | 2026-07-31 | 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅 |
| 12 | 一种三相半控整流桥复合封装及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511981365.1 | 2025-12-25 | CN121604824A | 2026-03-03 | 张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅 |
| 13 | 一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511950595.1 | 2025-12-23 | CN121729076A | 2026-03-24 | 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅 |
| 14 | 一种光伏旁路二极管模块加工工艺 | 发明专利 | 公布 | CN202511930765.X | 2025-12-19 | CN121693132A | 2026-03-17 | 司天平、景昌忠、陈润生、王毅 |
| 15 | 一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511911493.9 | 2025-12-17 | CN121699615A | 2026-03-20 | 李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅 |
| 16 | 一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511407480.8 | 2025-09-29 | CN120980899A | 2025-11-18 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 17 | 一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511407472.3 | 2025-09-29 | CN121152230A | 2025-12-16 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 18 | 一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511407464.9 | 2025-09-29 | CN121240474A | 2025-12-30 | 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅 |
| 19 | 一种平脚冲压框架及整流二极管 | 实用新型 | 授权 | CN202521849114.3 | 2025-08-29 | CN224611281U | 2026-08-07 | 吕强、陈润生、王毅 |
| 20 | 一种高功率密度三极管及制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布 | CN202511209188.5 | 2025-08-27 | CN120857527A | 2025-10-28 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 21 | 一种高集电极电流三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207926.2 | 2025-08-27 | CN120916450A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 22 | 一种高EAS能力的三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511208008.1 | 2025-08-27 | CN120916452A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 23 | 一种高频和高增益三极管及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207991.5 | 2025-08-27 | CN120916451A | 2025-11-07 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 24 | 一种高电流密度三极管及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511207877.2 | 2025-08-27 | CN121057236A | 2025-12-02 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 25 | 一种提高工作频率和增益系数的三极管 | 实用新型 | 授权 | CN202521832202.2 | 2025-08-27 | CN224538634U | 2026-07-21 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 26 | 一种小型短引脚整流桥 | 实用新型 | 授权 | CN202521835452.1 | 2025-08-27 | CN224556281U | 2026-07-24 | 聂磊、王双、姚文康、陈润生、王毅 |
| 27 | 一种降低饱和电压三极管 | 实用新型 | 授权 | CN202521833868.X | 2025-08-27 | CN224653864U | 2026-08-18 | 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅 |
| 28 | 一种便捷式旁路保护器件的加工方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511154480.1 | 2025-08-18 | CN121017690A | 2025-11-28 | 李广源、梁欣源、陈润生、王毅 |
| 29 | 光伏旁路器件 | 实用新型 | 授权 | CN202521754537.7 | 2025-08-18 | CN224459747U | 2026-07-03 | 李广源、梁欣源、陈润生、王毅 |
| 30 | 一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511145062.6 | 2025-08-15 | CN121011539A | 2025-11-25 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 31 | 二极管擦字装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521740722.0 | 2025-08-15 | CN224296845U | 2026-05-29 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 32 | 二极管上料装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521740725.4 | 2025-08-15 | CN224449345U | 2026-07-03 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 33 | 二极管收料装置 | 实用新型 | 授权 | CN202521740719.9 | 2025-08-15 | CN224449543U | 2026-07-03 | 徐超、司天平、陈润生、王毅 |
| 34 | 一种SIC基半导体器件封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202521620095.7 | 2025-07-31 | CN224556273U | 2026-07-24 | 熊鹏程、徐雅超、王毅、王正 |
| 35 | 一种新型二极管金属线键合塑封一体机 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510879767.4 | 2025-06-27 | CN120690730A | 2025-09-23 | 耿印、王毅 |
| 36 | 一种半导体塑封模具异物检测机构及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510842518.8 | 2025-06-23 | CN120645350A | 2025-09-16 | 刁卫斌、王毅 |
| 37 | 一种二极管外观检测装置及方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510826492.8 | 2025-06-19 | CN120539278A | 2025-08-26 | 耿印、王毅 |
| 38 | 一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510793665.0 | 2025-06-13 | CN120637356A | 2025-09-12 | 代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅 |
| 39 | 一种抑制塑封分层的全包封框架及封装 | 实用新型 | 授权 | CN202521215415.0 | 2025-06-13 | CN224460572U | 2026-07-03 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 40 | 提升绝缘耐压能力的整流桥堆 | 实用新型 | 授权 | CN202521114013.1 | 2025-05-30 | CN224205650U | 2026-05-05 | 邱力宸、王毅 |
| 41 | 多引脚散热桥堆 | 实用新型 | 授权 | CN202521104107.0 | 2025-05-30 | CN224205649U | 2026-05-05 | 姚文康、王双、吕强、王毅 |
| 42 | 一种高效组装散热型整流桥 | 实用新型 | 授权 | CN202521104109.X | 2025-05-30 | CN224482060U | 2026-07-10 | 王双、王毅 |
| 43 | 一种改进半导体器件饱和压降的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510613311.3 | 2025-05-13 | CN120417408A | 2025-08-01 | 龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅 |
| 44 | 单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510148616.1 | 2025-02-11 | CN119704417A | 2025-03-28 | 王鑫、王毅 |
| 45 | 一种FRED半导体器件及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510126905.1 | 2025-01-27 | CN119947137A | 2025-05-06 | 崔龙、王毅 |
| 46 | 一种横向IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996035.5 | 2024-12-31 | CN119730275A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 47 | 一种横向平面栅IGBT及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996030.2 | 2024-12-31 | CN119730274A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 48 | 一种横向RC-IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996027.0 | 2024-12-31 | CN119730273A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 49 | 一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996043.X | 2024-12-31 | CN119730277A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
| 50 | 一种自带续流能力的IGBT及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411996042.5 | 2024-12-31 | CN119730276A | 2025-03-28 | 代书雨、王玉林、张敏、王毅 |
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