高通：三星、SK 海力士积极布局HBC将与HBM并行开发
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（来源：财闻）
8月28日，据财闻海外资讯，三星电子与SK海力士（SKHY.US）正积极合作，推进高通（QCOM.US）高带宽计算芯片HBC的商业化落地。高通高级副总裁杜尔加・马拉迪在2026德意志银行（DB.US）科技大会上透露，两家存储厂商主动提出参与HBC项目合作，目前正同步开展HBC研发。
HBC属近内存计算(NMC)技术，将多颗低功耗DRAM(LPDDR)芯片垂直堆叠于加速器芯片(XPU)之上，由XPU承担运算裸片功能，采用硅通孔(TSV)工艺。高通于今年6月正式发布该技术，将其定位为存在结构性局限的HBM的替代方案，旨在解决AI推理场景性能瓶颈。同等功耗下，HBC带宽与token处理效率达HBM的6倍；对比传统GPU系统，同等功耗下token处理能力最高提升8倍；对比高速SRAM，HBC在总拥有成本(TCO)方面具备优势。
产业链分工上，高通负责产品设计、系统集成、开发运算裸片及提供TSV设计方案；三星电子与SK海力士负责DRAM芯片堆叠；高通计划与台积电合作推进技术整合与封装。
马拉迪表示，一代HBC样品已送达高通实验室验证，一代HBC产品预计明年实现商用出货，将搭载于AI加速器AI250中对外出货，计划2028年推出搭载第二代HBC的AI300产品。面向服务器的高通数据中心CPUDragonflyC1000同样可适配HBC。HBC也可作为独立产品交付给自研AI运算芯片的超大规模云厂商做配套适配。
马拉迪强调：“HBC属于通用技术，我们目前正在研发适配多款消费级终端的技术规格，覆盖智能手机、平板、PC、XR、汽车等设备。”高通目标把HBC用于设备端AI（端侧AI）终端产品。按照产品规划节奏，消费端版本预计3年后完成商用落地。