韦尔半导体取得快恢复二极管相关专利，多晶硅结构可优化快恢复二极管核心性能
创始人
2026-08-22 09:27:41
0次

8月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种快恢复二极管的制备方法及快恢复二极管”的专利，授权公告号CN118692910B，授权公告日为2026年8月21日。申请公布号为CN118692910A，申请号为CN202310301786.X，申请公布日期为2026年8月21日，申请日期为2023年3月24日，发明人陈兆萍、乐双申、何增谊，专利代理机构深圳睿臻知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师张海燕，分类号H10D8/01、H10D8/00、H10D62/83。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种快恢复二极管的制备方法及快恢复二极管，本发明实施例在有源区采用多晶硅结构既能降低局部区域P型的浓度来降低发射效率从而控制少子寿命，又能够增大PN结的面积，在提高快恢复二极管的快恢复能力的同时又能得到较低的正向压降。

天眼查数据显示，上海韦尔半导体股份有限公司成立日期2007年5月15日，法定代表人高文宝，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本126097.0295万人民币，实缴资本126107.4075万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层。上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了49家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息63条，专利信息225条，拥有行政许可19个。

上海韦尔半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种低开启电压瞬态电压抑制器件发明专利公布CN202610465010.52026-04-09CN122534956A2026-08-07许成宗、刘岚莘、李登辉、潘子月
2一种新型分裂栅功率MOSFET器件的制备方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610230022.X2026-02-26CN122054628A2026-05-15党晓军、董建新、衷世雄
3一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610189569.X2026-02-10CN122028508A2026-05-12李登辉、许成宗、刘岚莘
4一种双向超低容纵向NPN特性瞬态电压抑制器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610161837.72026-02-04CN122094185A2026-05-26李登辉、许成宗、刘岚莘、韩业星
5一种纵向低容高压单向TVS器件的制造方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610097861.92026-01-24CN122094184A2026-05-26刘凯哲、顾起帆、蔡燕楠、许成宗
6一种可调斜率的电源自动化测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037465.52025-12-31CN122043299A2026-05-15张潇、刘飞扬
7一种低电容瞬态抑制保护器件发明专利公布CN202511805721.42025-12-03CN121665687A2026-03-13韩业星、许成宗
8一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202511157153.12025-08-19CN121013371A2025-11-25曹培明、董建新
9一种高边开关芯片的电压检测及控制电路实用新型授权CN202521772012.62025-08-19CN224502912U2026-07-14刘选涛、洪诚、李学文
10一种用于优化SOA的屏蔽栅功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202521738033.62025-08-14CN224419175U2026-06-26薛华瑞、董建新、阮孟波、曹康妮
11一种功率MOSFET宽SOA结构版图及MOSFET实用新型授权CN202521738236.52025-08-14CN224419176U2026-06-26曹培明、衷世雄
12一种中高压屏蔽栅极功率器件版图及器件实用新型授权CN202521738001.62025-08-14CN224481972U2026-07-10薛华瑞、阮孟波、董建新、诸舜杰
13一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图发明专利公布CN202511112814.92025-08-09CN120957433A2025-11-14方镇东、诸舜杰、杨慧玲、薛华瑞
14一种晶圆级芯片封装结构实用新型授权CN202521537374.72025-07-22CN224521672U2026-07-17严晶玮、俞江彬、周万建
15一种Panel级双MOS芯片叠封封装结构实用新型授权CN202521404508.82025-07-04CN224670190U2026-08-21陈泽洋、俞江彬、周万建
16一种瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510702590.02025-05-28CN120659394A2025-09-16李登辉、许成宗、刘凯哲
17一种芯片并联封装方法及并联封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510642104.02025-05-19CN120613271A2025-09-09方镇东、门淑芳
18一种MOS芯片并联封装结构实用新型授权CN202520986841.82025-05-19CN224343676U2026-06-09王健伊、门淑芳
19一种芯片封装结构实用新型授权CN202520843790.32025-04-28CN224343773U2026-06-09诸舜杰、董建新
20一种单向低容瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510540948.42025-04-27CN120152387A2025-06-13李登辉、许成宗、刘凯哲
21一种功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202510420186.42025-04-03CN120264855A2025-07-04薛华瑞、董建新
22一种功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202520632927.02025-04-03CN224007006U2026-03-17薛华瑞、董建新
23一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510271360.32025-03-08CN120091616A2025-06-03薛华瑞、阮孟波
24一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202520406177.52025-03-08CN224007000U2026-03-17薛华瑞、阮孟波
25一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510261571.92025-03-06CN120111910A2025-06-06张峰、董建新
26一种浮空注入型功率MOSFET器件实用新型授权CN202520332356.92025-02-27CN224006999U2026-03-17党晓军、董建新、衷世雄
27一种安全工作区MOSFET器件的制备方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510205431.X2025-02-24CN120129297A2025-06-10薛华瑞、董建新
28一种屏蔽栅沟槽MOSFET版图及器件实用新型授权CN202520197353.92025-02-08CN224006998U2026-03-17薛华瑞、董建新
29一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202520197895.62025-02-08CN224083958U2026-04-03党晓军、董建新、衷世雄
30电流感测放大器发明专利公布CN202510123203.82025-01-26CN121814040A2026-04-07木村宏之
31电流感测放大器发明专利公布CN202510123387.82025-01-26CN121814041A2026-04-07木村宏之
32一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202520153818.02025-01-22CN224006997U2026-03-17曹培明、衷世雄、董建新
33一种共漏极双MOSFET器件实用新型授权CN202423222814.82024-12-25CN223772423U2026-01-06诸舜杰、董建新
34共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件发明专利授权CN202411921564.92024-12-25CN119815857B2026-01-06诸舜杰、董建新
35一种半导体封装结构实用新型授权CN202422815330.82024-11-18CN223513965U2025-11-04吴旸、俞江彬、周万建、姚力
36一种芯片封装结构实用新型授权CN202422467982.72024-10-11CN223308991U2025-09-05陈泽洋、俞江彬、周万建
37一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利公布CN202411155855.12024-08-22CN118841323A2024-10-25张峰、诸舜杰
38电压调节器发明专利公布CN202411126827.72024-08-16CN121028940A2025-11-28石田学
39半导体集成电路发明专利公布CN202411126626.72024-08-16CN121055790A2025-12-02相浦正巳
40输出电路发明专利授权CN202411126829.62024-08-16CN121012487B2026-08-07石田学
41一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图实用新型授权CN202421990059.52024-08-15CN223108363U2025-07-15薛华瑞、董建新
42负载驱动电路发明专利公布CN202411091349.02024-08-09CN121012328A2025-11-25木村宏之
43桥接电路发明专利公布CN202411091133.42024-08-09CN121012492A2025-11-25相浦正巳
44一种带保险丝芯片封装结构实用新型授权CN202421896262.62024-08-06CN223092890U2025-07-11李登辉、陈泽洋、黄智、赵金龙
45一种高保持电流瞬态电压抑制器件实用新型授权CN202421650230.82024-07-11CN223110415U2025-07-15李登辉、许成宗
46一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410803538.X2024-06-20CN121218661A2025-12-26付霄荧、衷世雄、钟添宾
47一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202421403433.72024-06-18CN222776520U2025-04-18党晓军、董建新、衷世雄、陈嘉聪
48一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410787966.82024-06-18CN121174540A2025-12-19党晓军、董建新、衷世雄
49一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法及阶梯开启屏蔽栅MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410717885.02024-06-04CN118610258A2024-09-06党晓军、董建新、衷世雄
50一种功率器件的制备方法及功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410710543.62024-06-03CN118486596A2024-08-13党晓军、董建新、衷世雄

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文由AI大模型基于公开信息生成，不代表Hehson财经观点。文中所有信息、数据及图表仅供参考，不构成任何形式的投资建议或决策依据，相关信息以实际公告为准。如有疑问，请联系：biz@staff.sina.com.cn。

上一篇：圣邦微电子取得过压保护电路相关专利，该电路可防护运放输入器件免高压损坏

下一篇：歌尔股份申请音频处理方法相关专利，耳机盒自动译语播放，降低操作复杂度

相关内容

热门资讯

长征五号B遥一运载火箭顺利通过... 2020年1月19日，长征五号B遥一运载火箭顺利通过了航天科技集团有限公司在北京组织的出厂评审。目前...
9所本科高校获教育部批准 6所... 1月19日，教育部官方网站发布了关于批准设置本科高等学校的函件，9所由省级人民政府申报设置的本科高等...
9所本科高校获教育部批准 6所... 1月19日，教育部官方网站发布了关于批准设置本科高等学校的函件，9所由省级人民政府申报设置的本科高等...
湖北省黄冈市人大常委会原党组成... 据湖北省纪委监委消息：经湖北省纪委监委审查调查，黄冈市人大常委会原党组成员、副主任吴美景丧失理想信念...
《大江大河2》剧组暂停拍摄工作... 搜狐娱乐讯 今天下午，《大江大河2》剧组发布公告，称当前防控疫情是重中之重的任务，为了避免剧组工作人...
泰国官方：已确诊8例新型冠状病...
芬兰国家旅游局致信中国游客：芬...
中国驻悉尼总领馆通报新南威尔士...
印尼巴布亚索隆发现1名疑似新型...
美国确诊第3例新型冠状病毒患者...
中国驻葡萄牙使馆关于葡萄牙出现...
中国驻苏丹大使馆微信公众号开通...
中国驻苏丹大使馆给大家拜年啦 ...
泰国已确诊8例新型冠状病毒肺炎...
快讯！日本确诊第4例新冠肺炎病...
日本10万人在线看春晚，屏幕刷...
安倍晋三：将与中国政府协调，派...
全球加紧研发新型冠状病毒疫苗和...
中国驻肯尼亚大使馆提醒侨胞做好...
伊朗称其浓缩铀储量已超1200...