厦门海洋职业技术学院集成电路布图设计获国家知识产权局公告
近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，厦门海洋职业技术学院提交的名为“40A 1200V IGBT”的集成电路布图设计正式进入公告环节，相关登记申请已通过国家知识产权局的合规性核验，获得公开公示。本次布图设计公告是国内职业院校在功率半导体核心器件自主研发领域取得的阶段性成果，标志着该校在IGBT相关技术的自主知识产权布局上迈出了关键一步。
此次获得公告的布图设计聚焦工业级功率半导体核心器件方向，由校内研发团队自主完成全流程设计，相关专有权的公示将为后续技术转化、产业对接提供清晰的知识产权支撑，进一步助力职业院校产学研融合创新的落地推进。
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 发布时间 | 2026年8月 |
| 布图设计登记号 | BS.265546362 |
| 布图设计申请日 | 2026年4月2日 |
| 公告日期 | 2026年8月14日 |
| 公告号 | 98611 |
| 布图设计名称 | 40A 1200V IGBT |
| 布图设计权利人 | 厦门海洋职业技术学院 |
| 布图设计创作人 | 陈利、陈瑞森 |
| 布图设计创作完成日 | 2025年10月19日 |
从本次公开的公告细节来看，该集成电路布图设计的创作完成日为2025年10月19日，由陈利、陈瑞森二人作为核心创作人完成全部设计研发工作，权利人归属厦门海洋职业技术学院。该布图设计于2026年4月2日正式向国家知识产权局提交登记申请，经过数月的审核流程后，于2026年8月14日完成公告，对应的布图设计登记号为BS.265546362，公告号为98611，相关公告信息于2026年8月面向社会公开发布。本次公示的“40A 1200V IGBT”布图设计针对中高压功率应用场景开发，其知识产权的公开将为相关领域的技术共享与协同创新提供合规基础。
综合点评
此次40A 1200V IGBT布图设计获国知局公告，是国内职校在功率半导体核心器件自主研发领域的重要突破，标志着该校在IGBT自主知识产权布局上迈出关键一步。其清晰的知识产权支撑，将为后续技术转化、产业对接提供合规基础，有效助力职校产学研融合创新落地。
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