奕斯伟材料申请晶圆质量评估相关专利,评估晶圆边缘质量与芯片良率关联性
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2026-05-17 09:33:34
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5月17日消息,国家知识产权局信息显示,西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“晶圆边缘质量的评估方法、装置、设备及介质”的专利。申请公布号为CN122042479A,申请号为CN202511844052.1,申请公布日期为2026年5月15日,申请日期为2025年12月9日,发明人薛浩波、袁力军、兰洵、张婉婉,专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司,专利代理师周坤,分类号G01N15/02、H10P74/20、G06F17/15。

专利摘要显示,本公开提供一种晶圆边缘质量的评估方法、装置、设备及介质。该评估方法包括:获取待测晶圆,其中,待测晶圆是通过对晶圆样品进行预加工处理获得的;确定待测晶圆上的颗粒的统计信息,其中,统计信息用于表征待测晶圆上的颗粒的数量分布;基于统计信息计算待测晶圆的边缘诱发缺陷占率指数,其中,边缘诱发缺陷占率指数用于表征待测晶圆的边缘因素诱发的颗粒的数量在待测晶圆上的总颗粒的数量中的占比;基于边缘诱发缺陷占率指数输出评估结果,其中,评估结果用于确定待测晶圆的边缘质量是否影响芯片良率。该评估方法可以有效地确定晶圆边缘质量与芯片良率关联性。

西安奕材于2016年3月16日成立,2025年10月28日在上海证券交易所上市,注册地址和办公地址均为陕西省西安市。该公司是国内专注12英寸硅片研发生产的企业,在半导体材料领域具有一定技术优势。

西安奕材所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料,涉及国家大基金持股、新股与次新股、次新股等概念板块,主营业务是专注于12英寸硅片的研发、生产和销售。

2025年,西安奕材实现营业收入26.49亿元,在行业26家公司中排名第6,高于行业平均数19.89亿元和中位数11.14亿元,但与第一名有研新材的95.42亿元、第二名雅克科技的86.11亿元仍有差距。其主营业务中,测试片收入10.42亿元占比39.33%,抛光片9.84亿元占比37.15%,外延片6.1亿元占比23.03%,其中高端测试片4.61亿元占比17.39%,其他(补充)1315万元占比0.50%。净利润方面,2025年为 - 7.38亿元,在行业中排名第25,远低于行业平均数3265.85万元和中位数8178.71万元,与第一名雅克科技的10.3亿元、第二名江丰电子的4.14亿元差距明显。

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1协同控制体微缺陷的直拉硅单晶生长方法、装置及硅晶圆发明专利公布CN202610368132.22026-03-24CN122013300A2026-05-12毛勤虎
2一种加料角度调节方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610350636.12026-03-20CN121931593A2026-04-28赵嘉诚
3一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610346713.62026-03-20CN121931597A2026-04-28杨文武、宁沛娜
4单晶生长方法及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610345729.52026-03-20CN121931595A2026-04-28潘浩、石小磊
5一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉发明专利实质审查的生效、公布CN202610346716.X2026-03-20CN121931598A2026-04-28杨文武、宁沛娜
6一种研磨定盘及研磨设备、研磨方法发明专利公布CN202610347640.22026-03-20CN122008064A2026-05-12章晓东
7抛光机、抛光垫检测方法、装置、检测设备、产品及介质发明专利公布CN202610345452.62026-03-20CN122008069A2026-05-12杨鑫卓
8一种加热系统、方法及单晶硅生长装置发明专利公布CN202610349958.42026-03-20CN122039199A2026-05-15潘浩、王浩、孙洪涛
9一种晶圆形貌分类的方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202610269906.62026-03-06CN122049540A2026-05-15李彤、兰洵、袁力军、李安杰、张婉婉
10晶棒处理设备和晶棒处理方法发明专利公布CN202610120374.X2026-01-28CN121945472A2026-05-01郭宏雁、黄兆皓
11硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610079762.82026-01-21CN121865865A2026-04-14贾志怡
12控制半导体单晶生长的方法、装置、及晶棒发明专利公布CN202512010297.02025-12-29CN121653837A2026-03-13杨文武、宁沛娜
13半导体制造设备,及其尾气处理方法、系统发明专利公布CN202512010197.82025-12-29CN121944738A2026-05-01杨文武、宁沛娜
14一种硅片缺陷处理方法、表面处理液、硅片及清洗装置发明专利公布CN202512012667.42025-12-29CN122028669A2026-05-12张申申
15拉晶工艺的功率控制方法、装置、设备及计算机存储介质发明专利公布CN202511996021.82025-12-26CN121675079A2026-03-17杨文武、宁沛娜
16双面抛光方法及设备、计算设备、介质及抛光晶圆发明专利公布CN202511961424.92025-12-24CN122008066A2026-05-12潘石、刘还平、白强强、王明
17一种晶圆的抛光方法以及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511956856.02025-12-23CN121941286A2026-04-28贾磊、杨新元、王明
18抛光头组件、化学机械抛光系统及晶圆的制备方法发明专利公布CN202511911677.52025-12-17CN121624982A2026-03-10王鹏、许涛、杨启
19晶圆检测设备和晶圆检测方法发明专利公布CN202511904874.42025-12-17CN121678673A2026-03-17薛博涛、陈光林、刘玉乾、黄兆皓
20单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉发明专利公布CN202511905877.X2025-12-17CN121951677A2026-05-01潘浩、崔源进、张鹏举
21一种晶圆清洁系统及方法发明专利公布CN202511907326.72025-12-17CN121969052A2026-05-01康建
22硅片的切割线痕缺陷检测方法、系统及存储介质发明专利公布CN202511904614.72025-12-17CN122048788A2026-05-15杨宗辉、陈曦鹏、王黎昱
23线切割装置及线切割取样方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511899233.42025-12-16CN121403584A2026-01-27王晋飞
24一种电阻率测试装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511897839.42025-12-16CN121917845A2026-04-24贺鹏
25清洗设备、清洗方法、清洗装置、控制设备、产品及介质发明专利公布CN202511866027.32025-12-11CN121665982A2026-03-13张树星、陈海龙、夏新超、左斌
26一种拉晶装置及拉晶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511869249.02025-12-11CN121781273A2026-04-03闫龙、张鹏举、吴超、纪天平、李智超
27一种边缘缺陷的检测方法、装置、设备、系统及介质发明专利公布CN202511869589.32025-12-11CN122016796A2026-05-12周淼
28热场调节装置、单晶炉和热场调节方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511856243.X2025-12-10CN121344772A2026-01-16黄文洋
29一种籽晶倾斜检测方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511855413.22025-12-10CN121366283A2026-01-20彭标、孙洪涛
30一种晶棒切割装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511858998.32025-12-10CN121572470A2026-02-27王磊磊、霍慧文、刘士靖、刘倩
31一种砂轮参数确定方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511854835.82025-12-10CN121580854A2026-02-27李彤、兰洵、袁力军、李安杰、张婉婉
32一种拉晶收尾的控制方法及系统发明专利公布CN202511858477.82025-12-10CN121826878A2026-04-10纪天平、彭标、闫龙
33一种晶圆的检测方法、系统及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511859289.72025-12-10CN121908854A2026-04-21史铁柱、庞鲁、王龙
34半导体设备的检验方法、装置、设备、系统及介质发明专利公布CN202511854133.X2025-12-10CN121978104A2026-05-05李康康
35缺陷晶圆的拦截方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202511842176.62025-12-09CN121969119A2026-05-01程瑜、贺鑫、胡一洲、万珣
36晶圆边缘质量的评估方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202511844052.12025-12-09CN122042479A2026-05-15薛浩波、袁力军、兰洵、张婉婉
37晶圆检测方法及相关装置发明专利公布CN202511837367.32025-12-08CN121665979A2026-03-13吕天爽
38晶棒长度的确定方法、装置、介质及晶体生长系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511840689.32025-12-08CN121874923A2026-04-17赵亮
39一种单片清洗装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511840630.42025-12-08CN121888884A2026-04-17左斌、陈海龙、王颖、张树星、夏新超
40硅片研磨的生产系统、控制方法和装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511840651.62025-12-08CN121870626A2026-04-17王琛、张宁轩、黄兆皓
41硅生长轴连接装置、硅生长系统及埚转偏差协同补偿方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511840788.12025-12-08CN121874924A2026-04-17彭标、孙洪涛
42一种晶圆的检测方法、系统及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511840660.52025-12-08CN121925097A2026-04-24史铁柱、庞鲁、王龙
43单晶硅的拉晶控制方法、装置及相关设备发明专利公布CN202511826516.62025-12-05CN121538725A2026-02-17杨松、赵亮
44绝缘体上硅衬底及其制备方法、射频绝缘体上硅晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511830184.92025-12-05CN121908606A2026-04-21张博、兰洵、车宇航、王文娟、刘贵浩
45晶圆的清洗方法、设备、以及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511815254.32025-12-04CN121604750A2026-03-03党快乐、兰洵
46一种双面抛光方法、双面抛光设备及硅片发明专利实质审查的生效、公布CN202511817716.52025-12-04CN121870547A2026-04-17郭宏雁、陈祖庆
47硅片切割线痕判定方法及装置、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511772774.02025-11-28CN121374876A2026-01-23王黎昱、陈曦鹏
48一种外延片边缘形貌补偿型晶圆双面抛光装置及方法发明专利公布CN202511770029.22025-11-28CN121535652A2026-02-17王俊夫
49晶圆处理方法及装置、电子设备发明专利公布CN202511775486.02025-11-28CN121548286A2026-02-17张城旗、苏艳宁、王黎昱
50晶圆检测与标识的设备、方法及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511775182.42025-11-28CN121865898A2026-04-14李乐杰、张钊、范东方、陈建勇

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