4月2日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法”的专利。申请公布号为CN121772328A,申请号为CN202610249024.3,申请公布日期为2026年3月31日,申请日期为2026年3月3日,发明人王文智,专利代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙),专利代理师杨宏伟,分类号H10D84/01、H10D84/85。
专利摘要显示,本发明公开了一种半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法,属于半导体技术领域。本发明通过先对半导体衬底进行刻蚀,以形成若干第一沟槽,再在第一沟槽的侧壁形成用于提高第一区域或第二区域载流子迁移率的半导体应力材料层,得到第二沟槽,然后在第二沟槽内填充绝缘材料,形成STI结构。本发明不会对半导体结构的STI后续制程产生影响,可以随意搭配后续制程的硅应力技术如嵌入式源漏技术或SMT或DSL技术等,从而起到双重叠加或多重叠加的效果,能够大幅提升NMOS、PMOS器件的载流子迁移率,提升器件速度。
近日,从上市公司发布的相关数据中,我们得以洞见晶合集成的发展态势。晶合集成是国内领先的12英寸晶圆代工企业,专注于晶圆代工服务,具备先进工艺研发与应用能力,具有较强的行业竞争力。公司成立于2015年5月19日,于2023年5月5日在上海证券交易所上市,注册地址为安徽省合肥市,办公地址位于安徽省合肥市和中国香港。
晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务,致力于研发并应用行业先进的工艺,为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造,属于安徽国资、集成电路、TMT概念板块。
经营业绩方面,2025年晶合集成营业收入为108.85亿元,在行业4家企业中排名第3,与第一名中芯国际的673.23亿元、第二名华虹公司的172.91亿元有差距,低于行业平均数240.81亿元和中位数140.88亿元。主营业务中集成电路收入103.88亿元,占比95.43%,其他(补充)收入4.97亿元,占比4.57%。净利润为4.66亿元,行业排名同样第3,与第一名中芯国际的72.09亿元、第二名赛微电子的13.88亿元相比差距明显,低于行业平均数20.64亿元和中位数9.27亿元。
合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种负偏压温度不稳定测试的测试执行方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610256197.8 | 2026-03-04 | CN121763040A | 2026-03-31 | 董琳、王仲盛、徐畅、林淯慈、毛辰辰 |
| 2 | 半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610249024.3 | 2026-03-03 | CN121772328A | 2026-03-31 | 王文智 |
| 3 | 半导体器件的制造方法和半导体器件 | 发明专利 | 公布 | CN202610252765.7 | 2026-03-03 | CN121772724A | 2026-03-31 | 方小婷、陈冠中、吴明刚 |
| 4 | 一种半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610250050.8 | 2026-03-03 | CN121772275A | 2026-03-31 | 宫本正文、石田浩 |
| 5 | 一种半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610245463.7 | 2026-03-02 | CN121752050A | 2026-03-27 | 陈杨、张惠慧、刘然 |
| 6 | 半导体测试结构及测试方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610243473.7 | 2026-03-02 | CN121741434A | 2026-03-27 | 桑华煜、程洋、汪华 |
| 7 | 一种半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610243328.9 | 2026-03-02 | CN121752034A | 2026-03-27 | 祝君龙、刘哲儒 |
| 8 | 一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610247747.X | 2026-03-02 | CN121772620A | 2026-03-31 | 阮钢、运广涛、苏圣哲 |
| 9 | 一种半导体结构的制备方法和半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610230677.7 | 2026-02-27 | CN121729066A | 2026-03-24 | 盛云、高志杰、蔡宗佐、高佑琳 |
| 10 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610226083.9 | 2026-02-26 | CN121728821A | 2026-03-24 | 刘苏涛、林士闵 |
| 11 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610227349.1 | 2026-02-26 | CN121752041A | 2026-03-27 | 查鸿凯、程挚 |
| 12 | 自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构 | 发明专利 | 公布 | CN202610214878.8 | 2026-02-14 | CN121712261A | 2026-03-20 | 赵西连、李婷、蒋倩文 |
| 13 | 一种结型场效应管及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610209966.9 | 2026-02-13 | CN121712070A | 2026-03-20 | 刘凯、北口裕久 |
| 14 | 布线方法、装置、存储介质及芯片 | 发明专利 | 公布 | CN202610210041.6 | 2026-02-13 | CN121706718A | 2026-03-20 | 陈星、郭军 |
| 15 | 掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610212003.4 | 2026-02-13 | CN121742116A | 2026-03-27 | 陶思友、巫振伟、汪雪春 |
| 16 | 表单生成方法、表单生成系统、存储介质及程序产品 | 发明专利 | 公布 | CN202610203763.9 | 2026-02-12 | CN121680850A | 2026-03-17 | 杨昆、崔洁、陈云、许紫璇 |
| 17 | 一种抑制CIS暗电流的方法及CIS | 发明专利 | 公布 | CN202610204137.1 | 2026-02-12 | CN121692822A | 2026-03-17 | 陈铜、冯文辉 |
| 18 | MOSFET电流模拟模型的构建、模拟方法及相关装置 | 发明专利 | 公布 | CN202610195676.3 | 2026-02-11 | CN121683668A | 2026-03-17 | 姚子凤、柯天麒、张立涛 |
| 19 | 半导体器件的参数校准方法和制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610197892.1 | 2026-02-11 | CN121683692A | 2026-03-17 | 王磊、邓少鹏、汪文婷、刘波、魏港澳 |
| 20 | 方块电阻预测模型训练方法及方块电阻预测方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610200279.0 | 2026-02-11 | CN121724086A | 2026-03-24 | 许可、陈健、邱茹蒙、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒 |
| 21 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610181967.7 | 2026-02-09 | CN121665627A | 2026-03-13 | 刘洋、李琦琦 |
| 22 | 高雷击浪涌耐量的超高压结型场效应管器件及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610182773.9 | 2026-02-09 | CN121692729A | 2026-03-17 | 刘凯、北口裕久、王维安、程洋 |
| 23 | 一种键合结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610180499.1 | 2026-02-09 | CN121693222A | 2026-03-17 | 崔立加、余义祥、徐华超、王梦晴 |
| 24 | MOSFET漏电流模拟模型的构建、模拟方法及设备 | 发明专利 | 公布 | CN202610170035.2 | 2026-02-06 | CN121659880A | 2026-03-13 | 张立涛、方昕、张雅琳 |
| 25 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610164443.7 | 2026-02-05 | CN121665622A | 2026-03-13 | 刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉 |
| 26 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610164440.3 | 2026-02-05 | CN121665621A | 2026-03-13 | 刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉 |
| 27 | 掩模板、图形形成方法及半导体器件的制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610149919.X | 2026-02-03 | CN121634685A | 2026-03-10 | 桑华煜、汪华、程洋、代海坡 |
| 28 | 一种半导体器件的制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610140150.5 | 2026-02-02 | CN121619943A | 2026-03-06 | 王奎旭、胡薇、沈磊、高志杰、李涛 |
| 29 | 一种掩模版的版图获取方法及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610140395.8 | 2026-02-02 | CN121613673A | 2026-03-06 | 刘秀梅、罗招龙 |
| 30 | 寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610142878.1 | 2026-02-02 | CN121619876A | 2026-03-06 | 蔡承佑、丁美平、陆莹莹、宋伟政、石伟 |
| 31 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610142832.X | 2026-02-02 | CN121619891A | 2026-03-06 | 李亮、高珊、张劲 |
| 32 | 一种半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610132362.9 | 2026-01-30 | CN121604535A | 2026-03-03 | 张振、刘哲儒、林豫立 |
| 33 | 一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610130109.X | 2026-01-30 | CN121604493A | 2026-03-03 | 朱丁盛、胡琪、秦绪威 |
| 34 | 集成电路的电阻检查方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610129702.2 | 2026-01-30 | CN121615587A | 2026-03-06 | 陈星 |
| 35 | 一种半导体结构的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610122489.2 | 2026-01-29 | CN121586286A | 2026-02-27 | 李飞、董宗谕 |
| 36 | 半导体测试结构及保护MOS管的选取方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610122111.2 | 2026-01-29 | CN121595927A | 2026-03-03 | 张立涛、方昕、姚子凤、郑启涛 |
| 37 | 一种图像传感器及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610113824.2 | 2026-01-28 | CN121586309A | 2026-02-27 | 刘琦、张昭、宋明明 |
| 38 | 场板介质层及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610117002.1 | 2026-01-28 | CN121619923A | 2026-03-06 | 刘申婷、程洋 |
| 39 | 一种图像传感器及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610098801.9 | 2026-01-26 | CN121586305A | 2026-02-27 | 郇小伟、蔡承佑 |
| 40 | 一种半导体器件及制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610092810.7 | 2026-01-23 | CN121559810A | 2026-02-24 | 葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、吴昊 |
| 41 | 一种半导体器件及制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610092816.4 | 2026-01-23 | CN121559811A | 2026-02-24 | 葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、吴昊 |
| 42 | 环绕式栅极晶体管及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610091098.9 | 2026-01-23 | CN121568400A | 2026-02-24 | 刘洋、马梦辉、李琦琦、李婷、祝君龙 |
| 43 | LDMOS结构及LDMOS结构的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610090393.2 | 2026-01-23 | CN121586277A | 2026-02-27 | 胡赵磊、王梦慧 |
| 44 | 浅沟槽隔离结构及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610086885.4 | 2026-01-22 | CN121548288A | 2026-02-17 | 汪明星、李阳阳、高志杰、杨杰 |
| 45 | 半导体测试结构及其测试方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610083592.0 | 2026-01-22 | CN121568560A | 2026-02-24 | 毛辰辰、王仲盛、董琳、姜攀 |
| 46 | 一种半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610083937.2 | 2026-01-22 | CN121568429A | 2026-02-24 | 金鑫、葛成海、熊鹏宇、林滔天 |
| 47 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610083772.9 | 2026-01-22 | CN121586284A | 2026-02-27 | 汪明星、高志杰、李阳阳、杨杰 |
| 48 | 一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构 | 发明专利 | 授权 | CN202610088108.3 | 2026-01-22 | CN121568565B | 2026-03-24 | 朱海龙、罗承先、李嘉伦 |
| 49 | 静电放电保护器件及芯片 | 发明专利 | 授权 | CN202610083935.3 | 2026-01-22 | CN121568436B | 2026-03-24 | 朱晓萌、鲍贤贤 |
| 50 | 机台传感器分级方法和基于传感器数据的机台管控方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610069832.1 | 2026-01-20 | CN121542897A | 2026-02-17 | 王思民、孙姗姗、谭柳娟、徐东东 |
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