中欣晶圆申请APCVD工艺优化相关专利，APCVD背面污迹工艺优化提产品良率
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2026-03-22 10:15:54
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3月22日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“APCVD背面污迹工艺的优化方法”的专利。申请公布号为CN121700360A，申请号为CN202511730212.X，申请公布日期为2026年3月20日，申请日期为2025年11月24日，发明人吕进午，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号C23C16/453、H10P70/00、H10P72/70、C23C16/02、C23C16/52、C23C16/40。

专利摘要显示，本发明涉及一种APCVD背面污迹工艺的优化方法，所属半导体硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：使用去离子水、清洗剂，同时采用超声波清洗或IPA擦拭对硅片进行表面洁净。第二步：温度参数的精确控制。第三步：压力参数的优化调整。第四步：气体参数的综合优化。第五步：在机械磨削和腐蚀前，将硅片背面贴上保护胶带。通过在沉积过程前、中、后多个环节设置精确的控制参数和物理屏障，从根本上杜绝或显著减少反应物在硅片背面的非预期沉积，从而提高产品良率和性能。综合运用了物理隔离、精密温控、气压稳控和气体动力学等多种技术手段，形成了一个多维度、立体化的解决方案。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息428条，拥有行政许可22个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳
2基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红
3针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮
4一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏
5基于边缘区域在线监测与动态压力补偿的抛光方法发明专利公布CN202511886277.32025-12-15CN121552237A2026-02-24徐姜炜
6针对晶圆倒角的晶圆边缘加工系统及倒角工艺发明专利公布CN202511865282.62025-12-11CN121552186A2026-02-24黄炜霞
7一种片盒包装的装载、检查系统及安装方法发明专利公布CN202511846572.62025-12-09CN121553472A2026-02-24王斌
8硅片V型槽抛光中心矫正的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816359.02025-12-04CN121572186A2026-02-27吴福壮
9预防供液管路结晶的冲洗装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773551.62025-11-28CN121403247A2026-01-27毛国领
10铬酸回收装置及其控制方法发明专利公布CN202511773554.X2025-11-28CN121700174A2026-03-20孙贵昌、方一栋
11用于高电阻硅片的在线式光学干涉平坦度测量方法发明专利公布CN202511730214.92025-11-24CN121677620A2026-03-17雷凇
12APCVD背面污迹工艺的优化方法发明专利公布CN202511730212.X2025-11-24CN121700360A2026-03-20吕进午
13基于化学机械协同与多步应力管理的半导体硅片减薄工艺发明专利公布CN202511681766.52025-11-17CN121670511A2026-03-17何航党、高洪涛
14外延后膜厚及滑移线的改善方法发明专利公布CN202511681767.X2025-11-17CN121712314A2026-03-20何珍碧
15基于12寸APCVD托盘的三次降温系统及积载清洗方法发明专利公布CN202511681610.72025-11-17CN121700371A2026-03-20吕进午
16硅片少子寿命的RTP前处理方法发明专利公布CN202511681768.42025-11-17CN121712321A2026-03-20罗国菁、李涛
17基于调整LP成膜温度的CVD工艺优化晶圆翘曲的方法发明专利公布CN202511652781.72025-11-12CN121712262A2026-03-20刘文涛、王骞玮
18基于槽式清洗消除PIN印的硅片加工方法发明专利公布CN202511652782.12025-11-12CN121712282A2026-03-20郭天天
19一种Ar炉氩气与氩氢混气工艺的切换设备及控制方法发明专利公布CN202511626278.42025-11-07CN121700151A2026-03-20平铁卫
20改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617289.62025-11-06CN121374420A2026-01-23姚胜平
21硅片小抛头的整组更换结构及其操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511617287.72025-11-06CN121424229A2026-01-30陈彬
22一种分析炉管清洗槽金属污染水平的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511581737.12025-10-31CN121298370A2026-01-09周桂丽、赵祥峰、戴潮、代治立、周卫宏
23一种使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511586194.22025-10-31CN121427493A2026-01-30高威
24一种基于硅烷-氮气分阶断沉积的LPCVD均一性优化工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511586213.12025-10-31CN121428520A2026-01-30赵祥峰
25一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法和系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511586203.82025-10-31CN121443043A2026-01-30高威
26流量校准的工具及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511577872.92025-10-31CN121521229A2026-02-13王方立
27检测设备相机的散热系统及其运行方法发明专利公布CN202511577875.22025-10-31CN121559800A2026-02-24李君
28基于红外线阵扫描的倒角机崩边实时检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511567859.52025-10-30CN121104823A2025-12-12杜书红
29一种提升硅片背面去蜡能力的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511563995.72025-10-30CN121487521A2026-02-06朱墨涵、王骞玮
30基于CMP工序用的研磨液添加系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511549473.12025-10-28CN121223690A2025-12-30杨石平
31一种用于单晶硅片的高效低损伤研磨液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511552895.42025-10-28CN121319792A2026-01-13黄炜霞
32用于消除LPCVD加工中硅片舟迹的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511529816.82025-10-24CN121575367A2026-02-27黄明洋、李鹏
33一种针对磨片定盘中沟槽研磨粉的柔性清洁系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511520729.62025-10-23CN121374419A2026-01-23苏鹏辉
34防止晶圆在高速旋转中裂片的气浮卡盘装置及其控制方法发明专利公布CN202511488822.32025-10-17CN121548270A2026-02-17方涛
35用于解离硅片的样条装置及其控制方法发明专利公布CN202511488820.42025-10-17CN121535855A2026-02-17王烨华
36基于自动化监控的单面抛光机台抛头寿命管理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407269.62025-09-29CN121290170A2026-01-09郭天天
37一种基于差异化修整抛光布工艺优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407270.92025-09-29CN121374293A2026-01-23姚胜平
38改善LTO膜外观良率的集预处理洗净和存储一体的可靠性工艺发明专利公布CN202511410897.X2025-09-29CN121568529A2026-02-24刘文涛
39硅片在减薄时产品背面污迹的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511399762.82025-09-28CN121310868A2026-01-09方一栋、缪燃、唐鸿钦
40改善硅片局部平坦度的抛光工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511398863.32025-09-28CN121468288A2026-02-06李赛武
41硅片研磨设备的定盘清洁与维护方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511344562.22025-09-19CN121156902A2025-12-19王小明
42SRP过度区宽度的计算方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511344565.62025-09-19CN121463785A2026-02-03吴瑶
43CMP抛光布更换定位导向器及气泡排除辅助夹具发明专利实质审查的生效、公布CN202511296333.82025-09-11CN121179349A2025-12-23陈彬
44具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511304565.32025-09-11CN121407221A2026-01-27郭体强、齐旭东
45AMAT常压外延炉腔体的正压氦检设备及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511296263.62025-09-11CN121409526A2026-01-27辜勇
46硅片倒角机清洗槽加工后硅片背面残留水珠清理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511224626.52025-08-29CN121171927A2025-12-19唐鸿钦、杨自立、罗敏杰
47在LPCVD制备工艺中的高稳定性石英硅舟平台结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511224618.02025-08-29CN121161264A2025-12-19刘文涛、李赛武
48无尘室用适应多规格上料的升降式防震动工具车及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511215435.22025-08-28CN121083591A2025-12-09田飞、杨自立
49改善硅片经过SP1后产生背面手臂印记的工装及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511143738.82025-08-15CN121171964A2025-12-19郑斌
50半导体硅片检测人员智能培训与动态知识管理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511102792.82025-08-07CN121190261A2025-12-23董盼盼、罗敏杰

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