中微公司取得等离子处理器相关专利，柔性结构消除热应力，保护板体用于高温工艺
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2026-03-21 09:51:27
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3月21日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种柔性安装连接结构及相应的等离子体处理器”的专利，授权公告号CN116313717B，授权公告日为2026年3月20日。申请公布号为CN116313717A，申请号为CN202111571461.0，申请公布日期为2026年3月20日，申请日期为2021年12月21日，发明人王明明、徐朝阳，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师林杨、徐雯琼，分类号H01J37/32、H10P72/00。

专利摘要显示，本发明公开了一种柔性安装连接结构，用于连接具有不同热膨胀系数的第一板体和第二板体，所述柔性安装连接结构设置有热应力释放部，所述热应力释放部为能够产生形变的结构，用于通过形变消除或减小在温度变化时因所述第一板体与第二板体不同的热膨胀系数而产生的热应力，防止所述热应力损坏所述第一板体和第二板体。本发明还公开了一种等离子体处理器，采用了上述的柔性安装连接结构。本发明通过柔性安装连接结构的弹性变形来补偿不同材料的安装基板与气体喷淋头板之间热膨胀量差值，从而保护气体喷淋头板、安装基板不会因热应力而破坏，并且具有大位移变形量，可应用于高温刻蚀工艺。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62614.5307万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目78次，财产线索方面有商标信息109条，专利信息1653条，拥有行政许可77个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种工艺顶盖及气相沉积设备实用新型授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平
2反应腔、高深宽比结构及其形成方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强
3基片托盘外观专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
4基片托盘外观专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
5一种气相沉积设备及半导体处理系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅
6一种升降驱动组件和半导体工艺设备实用新型授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳
7一种掩膜结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海
8掩膜结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海
9一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙
10一种环组件及成膜装置实用新型授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟
11一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟
12一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备实用新型授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强
13一种半导体加工设备及其控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强
14一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫
15一种基座及化学气相沉积设备实用新型授权CN202520166280.72025-01-23CN224001504U2026-03-17梁轩、徐立、吕术亮
16一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬
17一种隔离结构及化学气相沉积装置实用新型授权CN202520123428.92025-01-17CN223780362U2026-01-09黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开
18一种化学气相沉积装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510073813.12025-01-16CN119932527A2025-05-06张辉、姜银鑫、姜勇
19缓冲装置实用新型授权CN202520107111.62025-01-16CN223780359U2026-01-09杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业
20一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520086318.X2025-01-14CN223780351U2026-01-09陆顺开、周子琛、张辉
21一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411976013.22024-12-31CN119374033A2025-01-28徐志鹏、倪图强、连增迪
22化学气相沉积设备实用新型授权CN202423319091.32024-12-31CN223780363U2026-01-09朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远
23一种晶圆承载组件及半导体处理设备实用新型授权CN202423320135.42024-12-31CN223899675U2026-02-10陈星棋
24一种用于气柜可燃性测试的系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411980652.62024-12-30CN119375415A2025-01-28王治平、宋飘、宋常征、权汉钊
25一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411969617.42024-12-30CN119382671B2025-09-12徐志鹏、常健、王亚军
26一种半导体工艺平台实用新型授权CN202423296470.52024-12-30CN223660196U2025-12-12陶珩、何伟业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊
27一种半导体处理设备及其固态前驱体输送系统和输送方法发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411947571.62024-12-26CN119372628B2025-03-18庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫
28一种用于半导体处理设备的气体输送装置和气体通路模块实用新型授权CN202423230256.X2024-12-25CN223524974U2025-11-07姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫
29晶圆托盘外观专利授权CN202430820667.02024-12-24CN309541504S2025-10-14汪国元、代宇通、姜勇
30晶圆托盘外观专利授权CN202430817296.02024-12-23CN309541503S2025-10-14汪国元、代宇通、姜勇
31一种半导体设备实用新型授权CN202423192168.52024-12-23CN224022201U2026-03-20胡甘成、黄稳、汪国元、郑振宇、姜勇
32一种沉积金属氮化物的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411897577.72024-12-20CN120193249A2025-06-24沈成绪、许灿、高烨、陈宇畅、刘鹏杰、杨闰清
33气体喷淋头、喷淋头组件以及化学气相沉积装置实用新型授权CN202423152151.72024-12-19CN223780356U2026-01-09陈佳波、徐立、吴红星、吕术亮、李雪子
34等离子体处理设备实用新型授权CN202423135658.12024-12-18CN223665407U2025-12-12王许、朱永成、李琳、王智昊
35机械臂及半导体设备零件的洁净度原位检测系统实用新型授权CN202423135638.42024-12-18CN223657031U2025-12-12孙祥、刘若晨
36一种半导体处理设备及其多区加热板和多区温控驱动方法发明专利授权CN202411825844.X2024-12-11CN119835809B2026-03-17张辉、姜银鑫、杜冰洁
37一种气路加热模组实用新型授权CN202422993593.82024-12-04CN223528230U2025-11-07毛绪光、吴红星、李远
38一种真空平台实用新型授权CN202422993652.12024-12-04CN223535207U2025-11-11刘雯伊、王能语、刘学滨
39锁扣组件和反应腔实用新型授权CN202422980570.32024-12-03CN223535206U2025-11-11黄稳、姜勇
40流量校准仪外观专利授权CN202430745159.02024-11-25CN309427817S2025-08-08段国安、连增迪、钟水苗、徐扬、倪图强
41等离子体处理装置发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411668534.12024-11-20CN119170474B2025-02-14张一川、田宁、叶如彬
42下电极组件及等离子体处理设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411660380.12024-11-19CN119170554B2025-07-08田宁、叶如彬
43半导体处理设备及其直流电压信号控制系统发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411629639.62024-11-14CN119182310B2025-09-16倪图强、卢明、李博睿
44一种集成式匹配器系统及半导体处理装置实用新型授权CN202422709197.82024-11-06CN223527122U2025-11-07范宏宇、李宝琛
45防止下电极组件发生电弧放电的方法及等离子体处理设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411561997.82024-11-04CN119069332B2025-03-04田宁、叶如彬、刘志强
46气体分配盒及气相沉积设备实用新型授权CN202422687373.22024-11-04CN223433539U2025-10-14张海龙、胡玲钢、莱纳德·刘、王璐瑛
47一种清洁半导体零部件的装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411474501.32024-10-21CN119426243A2025-02-14梁重时、丛海、朱俊麒
48一种紧固结构、上接地环组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202422473121.X2024-10-12CN223203405U2025-08-08涂传文、苏宜龙、吴标胜
49一种磁力组件及磁控溅射设备实用新型授权CN202422453102.02024-10-10CN223316769U2025-09-09张旭彤、吴狄、连增迪、李兆晟
50一种气体传输系统及半导体处理设备实用新型授权CN202422453455.02024-10-10CN223318903U2025-09-09王恒阳、连增迪

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