参观考察
1月16日,由美国罗格斯大学专家汪春波教授、材料学专家侯平博士,以及山东省科普产业促进会会长李信培教授等组成的科技考察团到访济南鲁晶半导体有限公司。此次考察活动旨在进行技术交流,核心议题是深入了解公司在高耐压碳化硅(SiC)功率器件领域的研发进展与产业化情况。
高压碳化硅功率器件
考察期间,专家团深入参观了公司的封装测试生产线和研发实验室。鲁晶半导体总经理徐文汇向专家团详细介绍了公司的发展历程、技术布局以及其在高压碳化硅高压功率器件的封装结构设计、测试验证、可靠性评估等方面的关键技术突破。此类器件代表了当前功率半导体技术的前沿,在智能电网、轨道交通、工业驱动、新能源(如光伏逆变、储能系统、电动汽车充电设施)等高压、高频、高温应用场景中具有巨大潜力,能够显著提升能效、减小系统体积与重量。
深入探讨技术研发与产业应用
在技术交流环节,专家与研发人员就碳化硅外延材料工艺、高压器件可靠性等关键技术进行了深入讨论。同时,各方就第三代半导体的产业化路径、技术发展趋势等议题交换了专业意见。大家一致认为鲁晶在高压器件上的进展,不仅体现了技术深度,也展现了向更高端应用迈进的决心,符合全球能源转型和产业升级对核心功率元件的迫切需求。
鲁晶半导体总经理徐文汇对专家团的莅临指导表示衷心感谢,并表示公司将充分吸收专家们的宝贵意见,继续加大研发投入,聚焦高压、高功率碳化硅器件的性能优化与成本控制,加快5kV及以上等级产品的产业化步伐,致力于为全球客户提供更高效、更可靠的功率解决方案。
此次考察活动不仅加强了济南鲁晶半导体与海外顶尖华人专家及省内科技组织之间的交流,也为其高压碳化硅功率器件的后续发展注入了新的思路与动力,标志着公司在高端功率半导体国产化道路上迈出了更为坚实的一步。