本文来自微信公众号:格隆汇APP (ID:hkguruclub),作者:弗雷迪
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9月,随着存储芯片第二波涨价潮的开启,全球产业链相关企业股价陷入了狂欢。
海外存储芯片巨头,譬如闪迪、西部数据、美光、希捷等股价也接连创下新高。
与此同时,A股存储芯片板块持续冲高,月内多股涨幅都超过50%。
这波涨价潮,背后的驱动力是什么?
存储芯片行业,已经走在上行周期?
01、算力带动存力
节前最后几个交易日,全球存储芯片产业链全线爆发,背后由多则涨价消息推动。
今年9月,多家供应商宣布上调存储价格。
9月4日,NAND大厂闪迪(SanDisk)发布涨价函,面向渠道和消费者客户对闪存产品涨价10%+。18日,三星也已通知大客户四季度涨价,将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%;NAND闪存价格上涨5%至10%。
接着是美光,也向渠道商发出通知,宣布其存储产品价格将上涨20%-30%。
TrendForce最新内存现货价格趋势报告显示,DRAM现货报价持续上涨,主流芯片如DDR516Gb、DDR48Gb、DDR3和eTT产品均呈现这一趋势,继续保持看涨氛围。NAND闪存价格询价和交易也变得积极,部分现货交易商因市场前景看好而惜售,进一步推高了价格。
市场认为存储市场的第二轮涨价信号枪打响,并且景气度上行至少将延续到2026年下半年。这番动作彻底提振了全球存储芯片概念股,美国的美光科技、西部数据、闪迪、希捷;韩国证券市场的SK海力士、日本股票市场的铠侠,后者(铠侠)甚至开始与英伟达合作开发一款新型AI固态硬盘。
据悉,该产品将主要服务于生成式AI运算所需的服务器市场,预计将带来市场的新一代革新。报道称,这款新型固态硬盘专为AI服务器设计,可部分替代作为GPU显存扩展的HBM,相比传统固态硬盘读取速度提升100倍。
存储芯片涨价的动力,主要受到AI产业升级的辐射,AI算力革命引发了存储芯片行业的供需重构。
需求端,AI应用推动及数据中心、客户端、移动领域存储需求强劲,看过近期火速出圈的Sora 2就知道,未来多模态AI系统(如视觉成像、视频分析等)对内存带宽和容量的需求将呈指数级增长。
但在供应端,行业却面临供应紧缩,一方面NAND生产商将产量转向下一代节点致低密度芯片供应紧缺,另一方面部分供应商因财务困境短期难扩产。
事实上,存储芯片涨价潮早在去年三季度就有迹可循。
上游存储厂商开始将产能重心转向更高盈利能力的数据中心和高阶手机存储市场。彼时三星、SK海力士、美光等海外大厂开始削减部分利润率偏低的传统DRAM产能,转至生产DDR5、HBM(高带宽内存)等更高利润的产品。
今年4月,海外原厂更是接连宣布将停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品,但作为多数手机产品搭载的芯片类型,旺季备货热度显著升温,推动存储厂商控货惜售,这种放大效应导致当前两者价格持续上涨。
供需格局转变,或导致供需缺口持续扩大。
一方面,来自北美的云服务商服务器建置需求持续发酵,AI服务器和数据中心对存储的需求呈指数级增长,单台AI服务器需配备3TB以上内存和PB级存储。全球云厂商资本支出同比增长超过50%,存储器端的采购需求相当强劲,覆盖了DRAM与NANDFlash产品。
另一方面,随着美光、三星等厂商陆续宣布减产DDR4和LPDDR4,将大部分产能转向DDR5和LPDDR5,以手机为代表的终端存储市场面临结构性紧俏,进一步加剧了供应紧张。
由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶ServerDRAM和HBM,排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能,同时受各终端产品需求分化影响,在这样的情况下,供应商拥有较强的报价优势,合约价将延续上涨动能,所以机构对四季度存储芯片价格的涨幅预期也比原先更加乐观。
CFM闪存市场发布四季度存储市场展望报告指出,预计四季度,服务器eSSD涨幅将达到10%以上,DDR5RDIMM价格涨幅约10%-15%;移动端嵌入式NAND涨幅约5%-10%,LPDDR4X/5X涨幅约10%-15%;PC端LPDDR5X/D5价格涨幅预计将落在10%-15%。
存储芯片行业从2024年第三季度触底后,2025年第二季度已进入明确复苏通道,行业周期的反转为相关企业带来了业绩弹性,江波龙便是其中之一。
江波龙是国内第三方存储模组厂商,2024年公司在中国企业级SATASSD总容量排名中位列第三。
今年一季度,江波龙的营业收入同比下滑了4.41%;并且净利润由盈转亏;但到了二季度业绩却迎来了反转。营收环比增长39.53%创历史新高;扣非后归母净利润2.34亿元,环比增长215.94%,呈现大幅改善的趋势。
月末公司表示,在超预期的服务器存储新增需求带动下,原厂全面转向以利润指标为核心的供应策略,四季度存储市场价格将迎来全面上涨。
这种趋势下,对国内产业链公司形成直接利好的,无疑像江波龙、佰维存储等第三方模组厂商,以及分销商,譬如香农芯创,这些上市公司的股价涨幅也遥遥领先。
02、谁是国产存储之王?
存储芯片是半导体行业中仅次于逻辑芯片的第二大细分领域。
来源:网络
总的来说,现在行业景气度回升,本质是从旧技术退场到新技术接棒过渡期,产能缩减但刚需不减,市场一边惜售一边担忧断供互相挤压,故而形成了这种供需失衡。
这种供需失衡一开始只是结构性的,集中到了更直接地受益于AI大模型浪潮的DRAM身上,HBM作为AI芯片核心组件,价格涨幅最大。NANDFlash则在一定程度上拖累了上游厂商的业绩。
正因如此,过去多个季度以来,上游厂商持续推行NAND产品减产策略。从芯片龙头业绩中也能看到趋势,美光科技披露了2025财年第四财季业绩中,DRAM产品同比增长69%,约占总营收的79%,而NAND产品收入却同比下降5%。
但是,未来AI推理环节要落地到各种场景,比如智能客服、自动驾驶、图像识别,每天要处理海量的数据,这些数据得快速存、快速取,对存储的要求特别高:既要容量大,又要速度快,还得支持“随机I/O访问”。
以前NAND的需求主要靠消费电子,比如手机、电脑的存储升级,但这些需求增长越来越平缓,甚至时不时因为下游疲软掉链子,如今AI给NAND带来了刚需级的新需求,这要比靠消费电子挤牙膏式增长强多了。
但存储芯片的叙事变成了:一方面,AI带来的新需求在快速增长;另一方面,老的存储产品面临迭代淘汰,譬如企业级eSSD逐步向HDD渗透。行业供需关系到了转折点,不再是以前那种产能过剩、价格内卷的惨状。
可以说,DRAM和NAND这两个方向都是半导体相对景气的黄金赛道,除了分销商和和模组厂商,国内芯片企业能否抓住这波机会?
DRAM和NAND这两个领域,国内做的最好的分别是长鑫存储和长江存储,两家企业在全球市场各自占据约8%-10%的份额。
长江存储是国产NANDFlash技术领导者,最显著的成就是成功研发并量产了232层3DNANDFlash,这一技术水平使其能够与三星、美光等国际巨头在主流市场上正面竞争。
而长鑫存储是国产DRAM的领军企业,2019年成功量产8GbDDR4内存芯片,实现了国产DDR4芯片的首次突破。2023年推出LPDDR5系列产品,完成从DDR4到DDR5的技术跨越。
今年7月份,长鑫科技拟IPO的消息振奋了资本圈。Counterpoint预测称,长鑫存储今年将在去年大幅增产的基础上产能进一步同比增长近50%,随着产能从DDR4/LPDDR4加速向DDR5/LPDDR5过渡,后者出货量份额将从一季度的1%左右分别提升到7%和9%。
在NORFlash这一小众赛道,兆易创新的市场份额做到了全球第二,仅次于台湾华邦,7成收入来自存储芯片。
而且鲜为人知的是,兆易创新还直接持有长鑫存储约1.88%的股权,前者的实际控制人、控股股东朱一明同时担任长鑫存储的董事长,两家企业在股权和业务上联系紧密。兆易创新的利基型DRAM产品由长鑫存储独家代工,2025年,双方预计的关联交易额将达到约11.61亿元。
结构性缺货同样影响着利基型市场,2025年以来台股三大利基存储厂商旺宏、华邦电、南亚科合计营收大体呈现逐月攀升情况。
随着AI数据中心需求增加以及车用市场逐步回暖,NOR Flash市场供需趋于健康,适时调涨报价成为必然趋势,NOR Flash价格在25Q4有望调升至双位数百分比,或有望延续至2026年。
03、尾声
随着AI能力的演进,如同对算力的需求,未来多模态AI系统(如视觉成像、视频分析等)对内存带宽和容量的需求也将呈指数级增长。
就在前几天,OpenAI与韩国两大芯片巨头三星电子和SK海力士正式宣布建立战略合作关系,共同为OpenAI的星际之门AI数据中心项目提供存储芯片及其他解决方案。
OpenAI计划到2029年从三星和SK海力士采购每月高达90万片晶圆的DRAM产能,它相当于2025年末全球DRAM总产能的近一半。
而全球DRAM行业从2007年的100万片月产能增长到2025年末的190万片,用了整整18年时间。
OpenAI的单一项需求就要求在短短四年内实现接近18年的产能扩张,预示着AI对内存需求的爆炸性增长。
如果画饼成真,这一合作将推动存储芯片市场进入一个为期2-3年的“超级周期”,HBM在未来几年增速依然惊人。(全文完)