小米自研手机 SoC 玄戒 O1 正式官宣啦！这一消息无疑让业界为之振奋。据悉，该 SoC 或许将基于先进的 3nm 制程，这意味着它将拥有更高的集成度、更低的功耗以及更强的性能。3nm 制程的应用将为手机带来前所未有的体验提升，无论是运行大型游戏、多任务处理还是高清视频播放，都能轻松应对。小米在芯片领域的这一突破，彰显了其在技术研发上的强大实力和决心，也为国产手机芯片的发展注入了新的活力，期待玄戒 O1 为我们带来的惊喜。

本文来自微信公众号：芯智讯 （ID：icsmart），作者：浪客剑，题图来自：AI生成

传闻已久的小米全新自研手机SoC终于官宣了！

5月15日晚间，小米CEO雷军通过微博宣布，小米自主研发设计手机SoC芯片定名为“玄戒O1”，即将于今年5月下旬正式发布。不过，雷军并未透露关于“玄戒O1”的更多细节信息。

其实早在2017年2月，小米就曾正式发布了旗下首款自研手机芯片澎湃S1，并由小米5C首发搭载，成为了当时继苹果、三星、华为之后，全球第四家拥有自研手机芯片的智能手机品牌厂商。

不过可惜的是，澎湃S1由于孱弱的基带能力（不支持联通的3G、4G网络制式，也不支持电信的所有网络制式），并没有在当时的市场上获得成功。随后的澎湃S2研发也被爆出遭遇了多次流片失败，使得小米暂时放弃了手机SoC的研发。随后，小米转向了例如ISP芯片（澎湃C系列）、快充芯片（澎湃P系列）、电池管理芯片（澎湃G系列）、信号增强芯片（澎湃T系列）等相对简单的手机外围小芯片的自研。

直到2021年，小米重新成立了一家芯片设计子公司——上海玄戒技术有限公司（以下简称“玄戒”），不仅注册资本高达15亿元，并且该子公司还由小米高级副总裁曾学忠直接领导，而曾学忠在加入小米之前曾担任国产手机芯片厂商紫光展锐的CEO。2023年6月，玄戒科技还进行了增资，其注册资本由原来的15亿元增至了19.2亿元。同年10月，北京玄戒技术有限公司成立，注册资本30亿元人民币，同样是由曾学忠领导。传闻显示，玄戒目前研发团队已经超过了1000人。

此次官宣的“玄戒O1”正是由玄戒公司研发，这也是为什么小米全新的自研手机SoC并未继续采用之前“澎湃”系列的命名，而是以“玄戒”命名的原因。

根据此前的传闻，小米“玄戒O1”可能将会采用3nm制程，由于目前全球只有台积电、三星和英特尔具备3nm制程代工能力，但是三星3nm制程良率偏低，英特尔的Intel 3目前似乎也没有什么外部客户，所以玄戒O1大概率是基于台积电3nm制程代工。不过，此前也有传闻称O1是基于台积电N4P制程。

可能有人会说，台积电先进制程已经对中国大陆断供了，其实不然。美国目前出台的限制规则主要是限制AI芯片，消费类芯片是不受限的。

根据2025年1月15日美国BIS最新公布的限制规则，使用“16/14纳米节点”或以下先进制程，或使用非平面晶体管架构生产的任何逻辑IC，并且其封装内“聚合近似晶体管计数”超过限制的管数量（如出口、再出口或国内转让年份所规定）的物品，或者如上所述，“前端制造商”或“OSAT”（外包半导体封装和测试）公司无法确认最终包装物品的“聚合近似晶体管计数”，则假定该物品为3A090.a规则下的数据中心产品，即会受到出口管制。除非满足以下三个条件：

（a）最终封装IC的“聚合近似晶体管数量”低于300亿个晶体管，或

（b）最终封装的IC不包含高带宽存储器（HBM），并且最终封装的集成电路的“聚合估计晶体管数量”在2027年完成的任何出口、再出口或转移（国内）中低于350亿个晶体管；或

（c）2029年或之后完成的任何出口、再出口或转让（国内）400亿个晶体管。则这克服了ECCN 3A090.a中规定的IC的假设。

简单来说就是，如果一款芯片最终封装的晶体管数量超过300亿个晶体管（2029年之后放宽到400亿个晶体管），封装内含高带宽存储器（HBM）导致晶体管超过350亿个就会受限，其他则不受限。所以，国内只要不是在美国的黑名单内的企业的智能手机芯片、智驾芯片仍然能够利用台积电先进制程代工。

在玄戒O1核心配置方面，由于目前智能手机SoC生态都是基于Arm架构，因此玄戒O1必然还是基于Arm架构。根据之前爆料，玄戒O1有可能会采用8核或10核三丛集的CPU架构设计，得益于3nm制程的加持，其中超大核采用了Arm目前最强的Cortex-X925 CPU超大核，同时还集成了Arm最强的Immortalis-G925 GPU，综合性能可能与骁龙8 Gen2相当或更强。基带芯片有可能会采用外挂联发科或紫光展锐的5G基带芯片。

总结来看，如果上述信息属实的话，小米玄戒O1将有望成为目前国内首款3nm制程的芯片，同时也将成为国产最强的手机SoC。

本文来自微信公众号：芯智讯 （ID：icsmart），作者：浪客剑